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Transistores - bipolares (BJT): simples, pre-sesga

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RN1104,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104,LF(CT

Parte Stock: 176974

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wishlist.
RN1116MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1116MFV,L3F

Parte Stock: 1741

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Wishlist.
RN2110ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2110ACT(TPL3)

Parte Stock: 116110

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 80mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Wishlist.
RN1309,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1309,LF

Parte Stock: 1726

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Wishlist.
RN2112ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2112ACT(TPL3)

Parte Stock: 133617

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 80mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Wishlist.
RN1119MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1119MFV,L3F

Parte Stock: 1717

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 1 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Wishlist.
RN2421(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2421(TE85L,F)

Parte Stock: 103457

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 800mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 1 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 1 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V,

Wishlist.
RN1301,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1301,LF

Parte Stock: 114770

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Wishlist.
RN2113ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2113ACT(TPL3)

Parte Stock: 192815

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 80mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Wishlist.
RN1113MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1113MFV,L3F

Parte Stock: 1776

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN2105ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2105ACT(TPL3)

Parte Stock: 181928

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 80mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wishlist.
RN2111ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2111ACT(TPL3)

Parte Stock: 185360

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 80mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Wishlist.
RN1132MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1132MFV,L3F

Parte Stock: 1709

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 200 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Wishlist.
RN1115MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1115MFV,L3F

Parte Stock: 116839

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Wishlist.
RN2103ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2103ACT(TPL3)

Parte Stock: 125855

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 80mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Wishlist.
RN1118MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1118MFV,L3F

Parte Stock: 3186

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN1406,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1406,LF

Parte Stock: 138320

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wishlist.
RN2109MFV,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2109MFV,L3F

Parte Stock: 1723

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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RN1402,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1402,LF

Parte Stock: 154084

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora ​​(R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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