Transistores - bipolares (BJT): simples, pre-sesga

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Transistores - bipolares (BJT): simples, pre-sesga

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2422TE85LF

Parte Stock: 150924

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 800mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 2.2 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 65 @ 100mA, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1105MFV,L3F

Parte Stock: 132067

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1416,LF

Parte Stock: 133985

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2117MFV,L3F

Parte Stock: 185

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2301,LF

Parte Stock: 142431

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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RN1312(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1312(TE85L,F)

Parte Stock: 100942

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN1314(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1314(TE85L,F)

Parte Stock: 151760

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 1 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110,LF(CT

Parte Stock: 121856

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1403,LF

Parte Stock: 109

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1421TE85LF

Parte Stock: 136591

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 800mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 1 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 1 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V,

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RN2108(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2108(T5L,F,T)

Parte Stock: 2133

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1131MFV(TL3,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1131MFV(TL3,T)

Parte Stock: 3290

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 100 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2405,LF

Parte Stock: 121

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1418(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1418(TE85L,F)

Parte Stock: 2164

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN1415(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1415(TE85L,F)

Parte Stock: 109269

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1424TE85LF

Parte Stock: 195582

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 800mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1423TE85LF

Parte Stock: 181577

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 800mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

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RN1317(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1317(TE85L,F)

Parte Stock: 179199

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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RN1417(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1417(TE85L,F)

Parte Stock: 102201

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1114MFV,L3F

Parte Stock: 180

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 1 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Wishlist.

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1425TE85LF

Parte Stock: 187011

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 800mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 470 Ohms, Resistencia - Base emisora (R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101,LF(CT

Parte Stock: 133670

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102T5LFT

Parte Stock: 2168

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2401,LF

Parte Stock: 151

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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RN2118MFV(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2118MFV(TPL3)

Parte Stock: 2128

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2115MFV,L3F

Parte Stock: 173

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1311,LF

Parte Stock: 137

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN1103MFV(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1103MFV(TPL3)

Parte Stock: 103895

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2310,LF

Parte Stock: 188190

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN2314(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2314(TE85L,F)

Parte Stock: 144122

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 1 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Wishlist.

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2114MFV,L3F

Parte Stock: 157

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 1 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN1318(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1318(TE85L,F)

Parte Stock: 168872

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106MFV,L3F

Parte Stock: 161993

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1313(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1313(TE85L,F)

Parte Stock: 191183

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1103,LF(CT

Parte Stock: 141203

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Wishlist.

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1103MFV,L3F

Parte Stock: 140595

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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