Transistores - bipolares (BJT): simples, pre-sesga

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Transistores - bipolares (BJT): simples, pre-sesga

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2404TE85LF

Parte Stock: 1976

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1402S,LF

Parte Stock: 1953

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2104MFV,L3F

Parte Stock: 1980

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2402S,LF(D

Parte Stock: 1961

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN2106(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2106(T5L,F,T)

Parte Stock: 1986

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104CT(TPL3)

Parte Stock: 1925

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 20V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2111CT(TPL3)

Parte Stock: 2043

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 20V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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RN1105ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1105ACT(TPL3)

Parte Stock: 1932

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 80mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1406S,LF(D

Parte Stock: 1944

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1108(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1108(T5L,F,T)

Parte Stock: 2027

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2108ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2108ACT(TPL3)

Parte Stock: 1975

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 80mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1316,LF

Parte Stock: 199880

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2113CT(TPL3)

Parte Stock: 1959

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 20V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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RN1108ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1108ACT(TPL3)

Parte Stock: 1901

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 80mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2112,LF(CT

Parte Stock: 9941

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2103MFV,L3F

Parte Stock: 1966

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1103CT(TPL3)

Parte Stock: 1955

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 20V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

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RN1413(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1413(TE85L,F)

Parte Stock: 169265

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN1111ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1111ACT(TPL3)

Parte Stock: 1945

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 80mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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RN2118(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2118(T5L,F,T)

Parte Stock: 1956

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1108CT(TPL3)

Parte Stock: 1979

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 20V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

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RN1106ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106ACT(TPL3)

Parte Stock: 2028

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 80mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2102ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2102ACT(TPL3)

Parte Stock: 1977

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 80mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2104CT(TPL3)

Parte Stock: 1987

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 20V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109CT(TPL3)

Parte Stock: 1950

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 20V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

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RN2104ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2104ACT(TPL3)

Parte Stock: 2045

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 80mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2103CT(TPL3)

Parte Stock: 3230

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 20V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Wishlist.

RN1104ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104ACT(TPL3)

Parte Stock: 1956

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 80mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2303(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2303(TE85L,F)

Parte Stock: 126325

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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RN2107ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2107ACT(TPL3)

Parte Stock: 2063

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 80mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1441ATE85LF

Parte Stock: 176769

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 300mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 20V, Resistencia - Base (R1): 5.6 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2108CT(TPL3)

Parte Stock: 2026

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 20V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

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RN1101ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101ACT(TPL3)

Parte Stock: 1962

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 80mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102MFV,L3F

Parte Stock: 120698

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1414,LF

Parte Stock: 112225

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 1 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN2313(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2313(TE85L,F)

Parte Stock: 163677

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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