Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

Home.
Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

TPCL4202(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCL4202(TE85L,F)

Parte Stock: 2949

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA,

Wishlist.

TPCF8304(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8304(TE85L,F,M

Parte Stock: 2938

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 1.6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA,

Wishlist.

SSM6L13TU(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L13TU(T5L,F,T)

Parte Stock: 2912

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 800mA (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 143 mOhm @ 600mA, 4V, 234 mOhm @ 600mA, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

Wishlist.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N48FU,RF(D

Parte Stock: 2967

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.2 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA,

Wishlist.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N68NU,LF

Parte Stock: 16268

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 84 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

Wishlist.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N35AFU,LF

Parte Stock: 9923

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 250mA (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA,

Wishlist.

SSM6N42FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N42FE(TE85L,F)

Parte Stock: 2976

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 800mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

Wishlist.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N815R,LF

Parte Stock: 9939

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 103 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA,

Wishlist.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L35FE,LM

Parte Stock: 172252

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 180mA, 100mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

Wishlist.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N67NU,LF

Parte Stock: 9963

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 39.1 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

Wishlist.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N35AFE,LF

Parte Stock: 13256

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 250mA (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA,

Wishlist.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P35FE,LM

Parte Stock: 173905

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

Wishlist.

SSM6P15FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P15FE(TE85L,F)

Parte Stock: 13232

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA,

Wishlist.

SSM6N37CTD(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N37CTD(TPL3)

Parte Stock: 2957

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 250mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

Wishlist.

SSM6P41FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P41FE(TE85L,F)

Parte Stock: 13283

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 720mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 400mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

Wishlist.

TPC8405(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8405(TE12L,Q,M)

Parte Stock: 3098

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, 4.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

Wishlist.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N357R,LF

Parte Stock: 16211

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 650mA (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 150mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

Wishlist.

SSM6P35FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P35FE(TE85L,F)

Parte Stock: 121978

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

Wishlist.

SSM6L35FU(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L35FU(TE85L,F)

Parte Stock: 156233

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 180mA, 100mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

Wishlist.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L61NU,LF

Parte Stock: 154751

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A,

Wishlist.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N48FU,RF

Parte Stock: 3013

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.2 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA,

Wishlist.

SSM6N7002BFU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002BFU,LF

Parte Stock: 154781

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 200mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA,

Wishlist.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N61NU,LF

Parte Stock: 117701

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

Wishlist.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P49NU,LF

Parte Stock: 154268

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA,

Wishlist.

SSM6N16FUTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N16FUTE85LF

Parte Stock: 9999

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA,

Wishlist.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L36FE,LM

Parte Stock: 107404

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 500mA, 330mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 630 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

Wishlist.

TPCP8203(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8203(TE85L,F)

Parte Stock: 2780

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.7A, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Wishlist.

SSM6N7002BFE(T5L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002BFE(T5L,F

Parte Stock: 2844

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 200mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.1 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.1V @ 250µA,

Wishlist.

TPC8211(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8211(TE12L,Q,M)

Parte Stock: 2801

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Wishlist.

TPC8213-H(TE12LQ,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8213-H(TE12LQ,M

Parte Stock: 2813

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA,

Wishlist.

TPC8208(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8208(TE12L,Q)

Parte Stock: 2694

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA,

Wishlist.

TPCF8201(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8201(TE85L,F,M

Parte Stock: 2756

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA,

Wishlist.

TPC8212-H(TE12LQ,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8212-H(TE12LQ,M

Parte Stock: 2781

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA,

Wishlist.

TPCP8401(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8401(TE85L,F)

Parte Stock: 3345

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA, 5.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA,

Wishlist.

TPC8208(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8208(TE12L,Q,M)

Parte Stock: 2829

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA,

Wishlist.

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8207(TE12L)

Parte Stock: 2650

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4.8A, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA,

Wishlist.

66

«
1
2
»