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Transistores - IGBT - Sinxelos

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GT60N321(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

GT60N321(Q)

Parte Stock: 6662

Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 1000V, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 60A, Corrente - Colector pulsado (Icm): 120A, Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A, Potencia: máx: 170W,

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GT50J121(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

GT50J121(Q)

Parte Stock: 6662

Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 600V, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50A, Corrente - Colector pulsado (Icm): 100A, Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A, Potencia: máx: 240W,

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GT8G133(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

GT8G133(TE12L,Q)

Parte Stock: 6700

Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 400V, Corrente - Colector pulsado (Icm): 150A, Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 4V, 150A, Potencia: máx: 600mW,

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GT10G131(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

GT10G131(TE12L,Q)

Parte Stock: 6737

Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 400V, Corrente - Colector pulsado (Icm): 200A, Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 4V, 200A, Potencia: máx: 1W,

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GT10J312(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

GT10J312(Q)

Parte Stock: 6730

Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 600V, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 10A, Corrente - Colector pulsado (Icm): 20A, Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A, Potencia: máx: 60W,

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