Transistores - bipolares (BJT): simples, pre-sesga | Produtos de semicondutores discretos | 6

RN1112(T5L,F,T)

Parte Stock: 1924

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106,LF(CT

Parte Stock: 126227

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101CT(TPL3)

Parte Stock: 1912

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 20V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2315TE85LF

Parte Stock: 100188

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN1112ACT(TPL3)

Parte Stock: 1954

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 80mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2101ACT(TPL3)

Parte Stock: 1987

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 80mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1105CT(TPL3)

Parte Stock: 1976

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 20V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2105CT(TPL3)

Parte Stock: 1970

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 20V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1111CT(TPL3)

Parte Stock: 1984

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 20V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109ACT(TPL3)

Parte Stock: 2177

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 80mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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RN1103ACT(TPL3)

Parte Stock: 1902

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 80mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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RN2404,LF

Parte Stock: 9904

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1306,LF

Parte Stock: 116634

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1444ATE85LF

Parte Stock: 1960

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 300mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 20V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

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RN1107ACT(TPL3)

Parte Stock: 2029

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 80mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN2110CT(TPL3)

Parte Stock: 1997

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 20V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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RN2107MFV,L3F

Parte Stock: 128621

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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RN1107CT(TPL3)

Parte Stock: 1985

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 20V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109MFV,L3F

Parte Stock: 1935

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1112CT(TPL3)

Parte Stock: 1956

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 20V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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RN1113CT(TPL3)

Parte Stock: 2014

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 20V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102,LF(CT

Parte Stock: 176393

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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RN1113(T5L,F,T)

Parte Stock: 158736

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1308,LF

Parte Stock: 147458

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 22 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2106CT(TPL3)

Parte Stock: 1999

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 20V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106MFV(TL3,T)

Parte Stock: 1905

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2117(T5L,F,T)

Parte Stock: 1959

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2109CT(TPL3)

Parte Stock: 1945

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 20V, Resistencia - Base (R1): 47 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 22 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

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RN2316(TE85L,F)

Parte Stock: 159037

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2102CT(TPL3)

Parte Stock: 1965

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 20V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 10 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2107CT(TPL3)

Parte Stock: 1933

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 20V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2101CT(TPL3)

Parte Stock: 3234

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 20V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1117(T5L,F,T)

Parte Stock: 1981

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 10 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1305,LF

Parte Stock: 184462

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN2106ACT(TPL3)

Parte Stock: 140630

Tipo de transistor: PNP - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 80mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 47 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101MFV,L3F

Parte Stock: 164879

Tipo de transistor: NPN - Pre-Biased, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Resistencia - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistencia - Base emisora (R2): 4.7 kOhms, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

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