Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

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Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

Infineon Technologies

IRF7325PBF

Parte Stock: 2703

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7306PBF

Parte Stock: 89560

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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IPG20N06S415ATMA1

Infineon Technologies

IPG20N06S415ATMA1

Parte Stock: 2968

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA,

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Infineon Technologies

IRF7389TR

Parte Stock: 2636

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7754TR

Parte Stock: 2696

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7751

Parte Stock: 2659

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7750GTRPBF

Parte Stock: 2784

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7314QTRPBF

Parte Stock: 2754

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 5.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF5852

Parte Stock: 2710

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7751TRPBF

Parte Stock: 2786

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7504TR

Parte Stock: 2662

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7319PBF

Parte Stock: 85832

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7509TR

Parte Stock: 2686

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.7A, 2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7303QTRPBF

Parte Stock: 2779

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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IRF6723M2DTRPBF

Infineon Technologies

IRF6723M2DTRPBF

Parte Stock: 2819

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 15A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA,

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Infineon Technologies

IRFH4255DTRPBF

Parte Stock: 2936

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 64A, 105A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA,

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Infineon Technologies

IRF9953TR

Parte Stock: 2719

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7313PBF

Parte Stock: 69767

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF5850TR

Parte Stock: 2705

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7752GTRPBF

Parte Stock: 2826

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7503TRPBF

Parte Stock: 185602

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7756

Parte Stock: 2661

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7331PBF

Parte Stock: 2665

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7316PBF

Parte Stock: 82106

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF9910

Parte Stock: 2735

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A, 12A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7902PBF

Parte Stock: 2704

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.4A, 9.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 22.6 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA,

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IRFHM8363TR2PBF

Infineon Technologies

IRFHM8363TR2PBF

Parte Stock: 2853

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 14.9 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA,

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Infineon Technologies

IRF6150

Parte Stock: 2693

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 7.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF9956

Parte Stock: 2709

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF5851TR

Parte Stock: 2645

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.7A, 2.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7325TR

Parte Stock: 2643

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7750TRPBF

Parte Stock: 2795

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7752TRPBF

Parte Stock: 2785

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7507TR

Parte Stock: 2651

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.4A, 1.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7756TRPBF

Parte Stock: 2780

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF9952TR

Parte Stock: 2705

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, 2.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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