Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

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Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

Infineon Technologies

IRF5852TRPBF

Parte Stock: 2825

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7311PBF

Parte Stock: 80304

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7331TR

Parte Stock: 5360

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7307QTRPBF

Parte Stock: 2792

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.2A, 4.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF9952PBF

Parte Stock: 2709

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, 2.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF9395MTR1PBF

Parte Stock: 2948

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 14A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA,

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Infineon Technologies

IRF9389PBF

Parte Stock: 2968

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.8A, 4.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA,

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Infineon Technologies

IRF7530PBF

Parte Stock: 3352

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7103QTRPBF

Parte Stock: 2795

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IPG20N06S3L-23

Parte Stock: 2870

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA,

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Infineon Technologies

IRF5851

Parte Stock: 2672

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.7A, 2.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF8910GPBF

Parte Stock: 2804

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7905PBF

Parte Stock: 2764

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.8A, 8.9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 21.8 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA,

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Infineon Technologies

IRF7307TRPBF

Parte Stock: 191316

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.2A, 4.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7755TR

Parte Stock: 2921

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7379

Parte Stock: 2654

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.8A, 4.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF5851TRPBF

Parte Stock: 2806

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.7A, 2.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF8910PBF

Parte Stock: 77959

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7102

Parte Stock: 2715

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF9953PBF

Parte Stock: 2737

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7341PBF

Parte Stock: 71794

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7755GTRPBF

Parte Stock: 2770

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7335D1TR

Parte Stock: 2727

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 17.5 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7331

Parte Stock: 2682

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7316QTRPBF

Parte Stock: 3347

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7503TR

Parte Stock: 2661

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7343QTRPBF

Parte Stock: 2838

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.7A, 3.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7757TRPBF

Parte Stock: 2819

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7304TR

Parte Stock: 2707

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,

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IRFHS9351TR2PBF

Infineon Technologies

IRFHS9351TR2PBF

Parte Stock: 2826

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA,

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Infineon Technologies

IRF7750

Parte Stock: 2669

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7754GTRPBF

Parte Stock: 2807

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7105QTRPBF

Parte Stock: 2827

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, 2.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7307PBF

Parte Stock: 94382

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.2A, 4.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF8915

Parte Stock: 2731

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8.9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7756TR

Parte Stock: 3371

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

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