Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

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Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

Infineon Technologies

IRF7506TR

Parte Stock: 2648

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7328PBF

Parte Stock: 58156

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7756GTRPBF

Parte Stock: 2800

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7104PBF

Parte Stock: 100274

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7328TR

Parte Stock: 2700

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7304PBF

Parte Stock: 67896

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7530TR

Parte Stock: 2684

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7755

Parte Stock: 2693

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7350TRPBF

Parte Stock: 3331

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.1A, 1.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 2.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7306QTRPBF

Parte Stock: 2778

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7324PBF

Parte Stock: 40730

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7313QTRPBF

Parte Stock: 2771

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7103Q

Parte Stock: 2957

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7751GTRPBF

Parte Stock: 2740

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF5810TR

Parte Stock: 2641

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF8852TRPBF

Parte Stock: 2855

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 11.3 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA,

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Infineon Technologies

IRF5850

Parte Stock: 2724

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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IPG20N06S4L26AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N06S4L26AATMA1

Parte Stock: 186995

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA,

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IPG20N10S4L35ATMA1

Infineon Technologies

IPG20N10S4L35ATMA1

Parte Stock: 169062

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA,

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IPG16N10S461AATMA1

Infineon Technologies

IPG16N10S461AATMA1

Parte Stock: 195163

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 16A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA,

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IPG20N04S4L08ATMA1

Infineon Technologies

IPG20N04S4L08ATMA1

Parte Stock: 128418

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 22µA,

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Infineon Technologies

IRF7351TRPBF

Parte Stock: 111531

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 17.8 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA,

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IPG20N06S2L35AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N06S2L35AATMA1

Parte Stock: 128569

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA,

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Infineon Technologies

IRF9953TRPBF

Parte Stock: 182561

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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IPG20N04S412AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N04S412AATMA1

Parte Stock: 165975

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA,

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IPG20N10S4L22ATMA1

Infineon Technologies

IPG20N10S4L22ATMA1

Parte Stock: 113849

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA,

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Infineon Technologies

IRF7329TRPBF

Parte Stock: 126207

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF9389TRPBF

Parte Stock: 156541

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.8A, 4.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA,

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Infineon Technologies

IRF7306TR

Parte Stock: 84818

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF9395MTRPBF

Parte Stock: 53923

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 14A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA,

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Infineon Technologies

IRF9910TRPBF

Parte Stock: 144138

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A, 12A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 9.3 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA,

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IPG20N04S4L07AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N04S4L07AATMA1

Parte Stock: 101318

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA,

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Infineon Technologies

IRF7905TRPBF

Parte Stock: 187870

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.8A, 8.9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 21.8 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA,

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IPG20N06S2L50AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N06S2L50AATMA1

Parte Stock: 140292

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 19µA,

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Infineon Technologies

IRF9358TRPBF

Parte Stock: 160762

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 16.3 mOhm @ 9.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA,

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IPG16N10S461ATMA1

Infineon Technologies

IPG16N10S461ATMA1

Parte Stock: 100256

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 16A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 9µA,

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