Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

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Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

Infineon Technologies

IRF7325

Parte Stock: 2634

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7379PBF

Parte Stock: 2664

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.8A, 4.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7754

Parte Stock: 2962

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF8513PBF

Parte Stock: 2834

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, 11A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA,

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Infineon Technologies

IRF7338TRPBF

Parte Stock: 2782

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.3A, 3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7750TR

Parte Stock: 2689

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF8313PBF

Parte Stock: 2835

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 9.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA,

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Infineon Technologies

IRF7379QTRPBF

Parte Stock: 2818

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.8A, 4.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7101PBF

Parte Stock: 2712

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7342QTRPBF

Parte Stock: 2806

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF5852TR

Parte Stock: 2705

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7316TR

Parte Stock: 2982

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF9358PBF

Parte Stock: 57753

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 16.3 mOhm @ 9.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA,

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Infineon Technologies

IRF7757TR

Parte Stock: 2666

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7351PBF

Parte Stock: 40500

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 17.8 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA,

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IRFHE4250DTRPBF

Infineon Technologies

IRFHE4250DTRPBF

Parte Stock: 2966

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 86A, 303A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.75 mOhm @ 27A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA,

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Infineon Technologies

IPG20N06S3L-35

Parte Stock: 2854

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA,

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Infineon Technologies

IRF7389

Parte Stock: 2690

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF9910TR

Parte Stock: 3299

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A, 12A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7343PBF

Parte Stock: 75494

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.7A, 3.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF9952QTRPBF

Parte Stock: 2747

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, 2.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRF7309QTRPBF

Parte Stock: 2755

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A, 3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRFI4024H-117P

Parte Stock: 2824

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 7.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA,

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Infineon Technologies

IRF9953

Parte Stock: 2696

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7106

Parte Stock: 2699

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3A, 2.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRF7329TR

Parte Stock: 2673

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRF7901D1

Parte Stock: 2681

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRF7313TRPBF

Parte Stock: 101851

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRF7301PBF

Parte Stock: 88872

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRF7507PBF

Parte Stock: 2758

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.4A, 1.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min),

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IRLHS6376TR2PBF

Infineon Technologies

IRLHS6376TR2PBF

Parte Stock: 2814

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRLHS6276TRPBF

Parte Stock: 125842

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRF6156

Parte Stock: 3344

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Wishlist.

Infineon Technologies

IRF7507TRPBF

Parte Stock: 173654

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.4A, 1.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,

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IRF6702M2DTR1PBF

Infineon Technologies

IRF6702M2DTR1PBF

Parte Stock: 2812

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 15A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA,

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Infineon Technologies

IRF7751TR

Parte Stock: 2708

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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