Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

IRFHM8363TRPBF

IRFHM8363TRPBF

Parte Stock: 191314

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 14.9 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA,

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IPG20N04S4L11AATMA1

IPG20N04S4L11AATMA1

Parte Stock: 165940

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 11.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA,

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IPG20N06S4L11AATMA1

IPG20N06S4L11AATMA1

Parte Stock: 94288

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 11.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA,

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IRF7309TRPBF

IRF7309TRPBF

Parte Stock: 150382

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A, 3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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IPG20N04S408ATMA1

IPG20N04S408ATMA1

Parte Stock: 104533

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA,

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IPG20N10S4L35AATMA1

IPG20N10S4L35AATMA1

Parte Stock: 155833

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 16µA,

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IPG20N04S412ATMA1

IPG20N04S412ATMA1

Parte Stock: 172931

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 15µA,

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IPG20N10S436AATMA1

IPG20N10S436AATMA1

Parte Stock: 139478

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 16µA,

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IRF7331TRPBF

IRF7331TRPBF

Parte Stock: 196280

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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IRF7104TRPBF

IRF7104TRPBF

Parte Stock: 104561

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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IRF7379TRPBF

IRF7379TRPBF

Parte Stock: 199093

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.8A, 4.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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IPG20N10S4L22AATMA1

IPG20N10S4L22AATMA1

Parte Stock: 108999

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA,

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IRF6802SDTRPBF

IRF6802SDTRPBF

Parte Stock: 60962

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 16A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA,

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IPG20N06S4L26ATMA1

IPG20N06S4L26ATMA1

Parte Stock: 197280

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA,

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IRLHS6376TRPBF

IRLHS6376TRPBF

Parte Stock: 115333

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA,

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IRF7902TRPBF

IRF7902TRPBF

Parte Stock: 168640

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.4A, 9.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 22.6 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA,

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IRF7311TRPBF

IRF7311TRPBF

Parte Stock: 168715

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,

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IRF7316TRPBF

IRF7316TRPBF

Parte Stock: 172337

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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IRF7904TRPBF

IRF7904TRPBF

Parte Stock: 188754

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.6A, 11A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 16.2 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA,

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IRF7303TRPBF

IRF7303TRPBF

Parte Stock: 185377

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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IPG20N04S408AATMA1

IPG20N04S408AATMA1

Parte Stock: 101294

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA,

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IRF7342TRPBF

IRF7342TRPBF

Parte Stock: 156976

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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IRF7105TRPBF

IRF7105TRPBF

Parte Stock: 196914

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, 2.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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IPG16N10S4L61AATMA1

IPG16N10S4L61AATMA1

Parte Stock: 195154

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 16A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 90µA,

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IPG20N06S4L14ATMA2

IPG20N06S4L14ATMA2

Parte Stock: 126778

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 13.7 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA,

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IRF7304

IRF7304

Parte Stock: 40531

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,

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IRF8313TRPBF

IRF8313TRPBF

Parte Stock: 190133

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 9.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA,

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IRFH4251DTRPBF

IRFH4251DTRPBF

Parte Stock: 49673

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Schottky, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 64A, 188A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA,

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IPG20N06S4L11ATMA1

IPG20N06S4L11ATMA1

Parte Stock: 97219

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 11.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 28µA,

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IRF7341TRPBF

IRF7341TRPBF

Parte Stock: 73259

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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IRF7319TRPBF

IRF7319TRPBF

Parte Stock: 180145

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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IRF7389TRPBF

IRF7389TRPBF

Parte Stock: 166810

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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IRF7907TRPBF

IRF7907TRPBF

Parte Stock: 173843

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9.1A, 11A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 16.4 mOhm @ 9.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA,

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IRFHM792TRPBF

IRFHM792TRPBF

Parte Stock: 82378

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 195 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA,

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IRF7506TRPBF

IRF7506TRPBF

Parte Stock: 149700

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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IRF9362TRPBF

IRF9362TRPBF

Parte Stock: 188725

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA,

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