Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | Produtos de semicondutores discretos | 11

2N7002DW L6327

Parte Stock: 2853

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 300mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Infineon Technologies

2N7002DWH6327XTSA1

Parte Stock: 174403

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 300mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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Infineon Technologies

94-3449

Parte Stock: 2628

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7103Q

Parte Stock: 3052

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7309QTR

Parte Stock: 108112

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A, 3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7343QTR

Parte Stock: 94872

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.7A, 3.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7303QTR

Parte Stock: 101171

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 100µA,

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Infineon Technologies

AUIRF9952Q

Parte Stock: 2919

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, 2.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7379Q

Parte Stock: 2916

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.8A, 4.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7342Q

Parte Stock: 3348

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7341Q

Parte Stock: 2859

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.1A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7319Q

Parte Stock: 2903

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.5A, 4.9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7313Q

Parte Stock: 2913

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7316Q

Parte Stock: 5424

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7304Q

Parte Stock: 2891

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7309Q

Parte Stock: 2875

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A, 3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7303Q

Parte Stock: 2880

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 100µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7343Q

Parte Stock: 2791

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.7A, 3.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRFN8459TR

Parte Stock: 64112

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 50A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 40A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA,

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Infineon Technologies

AUIRFN8458TR

Parte Stock: 79588

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 43A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 26A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 25µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7341QTR

Parte Stock: 89718

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.1A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7319QTR

Parte Stock: 89679

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.5A, 4.9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7316QTR

Parte Stock: 89739

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7342QTR

Parte Stock: 91383

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7313QTR

Parte Stock: 94924

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7304QTR

Parte Stock: 101244

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7379QTR

Parte Stock: 101249

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.8A, 4.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF7103QTR

Parte Stock: 121994

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

AUIRF9952QTR

Parte Stock: 125213

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, 2.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Infineon Technologies

BSL308CH6327XTSA1

Parte Stock: 146163

Tipo FET: N and P-Channel Complementary, Función FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.3A, 2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA,

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Infineon Technologies

BSC0911NDATMA1

Parte Stock: 94888

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Función FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 18A, 30A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

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Infineon Technologies

BSO615NGHUMA1

Parte Stock: 20316

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA,

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Infineon Technologies

BSO330N02KGFUMA1

Parte Stock: 3005

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 20µA,

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Infineon Technologies

BTS7904SAKSA1

Parte Stock: 2985

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 40A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA,

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Infineon Technologies

BSO4804HUMA2

Parte Stock: 2904

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA,

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Infineon Technologies

BSL806NL6327HTSA1

Parte Stock: 2870

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 750mV @ 11µA,

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