Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

SP8J2TB

Parte Stock: 2628

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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SH8M41GZETB

Parte Stock: 127920

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 80V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.4A, 2.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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QH8MA2TCR

Parte Stock: 145176

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, 3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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SH8K22TB1

Parte Stock: 169285

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 45V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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QS6M3TR

Parte Stock: 170246

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA,

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QS6J1TR

Parte Stock: 160158

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 215 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

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HUFA76407DK8T-F085

Parte Stock: 3322

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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FDMC8200S

Parte Stock: 148692

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, 8.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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NTHD3102CT1G

Parte Stock: 118797

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A, 3.1A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

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FDC3601N

Parte Stock: 102462

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

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IRF7389TRPBF

Parte Stock: 166810

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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IRF7907TRPBF

Parte Stock: 173843

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9.1A, 11A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 16.4 mOhm @ 9.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA,

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IRFHM792TRPBF

Parte Stock: 82378

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 195 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 10µA,

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IRF7506TRPBF

Parte Stock: 149700

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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IRF9362TRPBF

Parte Stock: 188725

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA,

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IRF7509TRPBF

Parte Stock: 158332

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.7A, 2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 1.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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IPG20N06S4L14AATMA1

Parte Stock: 125877

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 13.7 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA,

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DMP2004VK-7

Parte Stock: 179589

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 530mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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ZXMN3AM832TA

Parte Stock: 2640

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

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DMN61D9UDW-7

Parte Stock: 182168

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 350mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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DMC2700UDM-7

Parte Stock: 130711

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.34A, 1.14A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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DMHC3025LSD-13

Parte Stock: 180355

Tipo FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, 4.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

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SI1034CX-T1-GE3

Parte Stock: 141761

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 610mA (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 396 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos

SQ1922EEH-T1_GE3

Parte Stock: 2536

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 840mA (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 400mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

SQJB68EP-T1_GE3

Parte Stock: 2512

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 92 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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SIA906EDJ-T1-GE3

Parte Stock: 181601

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 3.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

Á lista de desexos

SI7228DN-T1-GE3

Parte Stock: 108156

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 26A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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SIZ200DT-T1-GE3

Parte Stock: 2544

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

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SI5908DC-T1-E3

Parte Stock: 118929

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos

SQJ912BEP-T1_GE3

Parte Stock: 2589

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 30A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Á lista de desexos

SQ1912EH-T1_GE3

Parte Stock: 132067

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 800mA (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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