Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

SP8K2TB

Parte Stock: 195188

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Á lista de desexos

SH8K15TB1

Parte Stock: 137046

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Á lista de desexos

QS8K11TCR

Parte Stock: 198738

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Á lista de desexos

US6M1TR

Parte Stock: 141982

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.4A, 1A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Á lista de desexos

SH8M13GZETB

Parte Stock: 173570

Tipo FET: N and P-Channel, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, 7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Á lista de desexos

SI1965DH-T1-GE3

Parte Stock: 150223

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos

SI1016X-T1-GE3

Parte Stock: 135127

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 485mA, 370mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos

SI6926ADQ-T1-E3

Parte Stock: 129467

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.1A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos

SI1023CX-T1-GE3

Parte Stock: 136072

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 756 mOhm @ 350mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos

SQ3989EV-T1_GE3

Parte Stock: 124228

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.5A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 400mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

SI4670DY-T1-GE3

Parte Stock: 139899

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Á lista de desexos

SIZ300DT-T1-GE3

Parte Stock: 146800

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11A, 28A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 9.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Á lista de desexos

SI7540ADP-T1-GE3

Parte Stock: 87195

Tipo FET: N and P-Channel, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12A, 9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

Á lista de desexos

SI4943CDY-T1-E3

Parte Stock: 89694

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 19.2 mOhm @ 8.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Á lista de desexos

SQJ992EP-T1_GE3

Parte Stock: 130455

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 15A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 56.2 mOhm @ 3.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

SQJ570EP-T1_GE3

Parte Stock: 165202

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 15A (Tc), 9.5A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 6A, 10V, 146 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

SI5902BDC-T1-GE3

Parte Stock: 125173

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Á lista de desexos

Taiwan Semiconductor Corporation

SQ1539EH-T1_GE3

Parte Stock: 2491

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 850mA (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 1A, 10V, 940 mOhm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA,

Á lista de desexos

Diodes Incorporated

DMN67D8LDW-13

Parte Stock: 104906

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 230mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

Diodes Incorporated

DMN2005DLP4K-7

Parte Stock: 162696

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 300mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA,

Á lista de desexos

Texas Instruments

CSD85302L

Parte Stock: 146505

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Standard,

Á lista de desexos

Texas Instruments

CSD86360Q5D

Parte Stock: 67326

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 50A, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Á lista de desexos

TSM200N03DPQ33 RGG

Parte Stock: 2506

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

FDMA1023PZ

Parte Stock: 100824

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

FDS8958B

Parte Stock: 194401

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.4A, 4.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Á lista de desexos

NVMFD5485NLT3G

Parte Stock: 94178

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

NTJD4158CT1G

Parte Stock: 159746

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 250mA, 880mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA,

Á lista de desexos

EFC6612R-TF

Parte Stock: 157184

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

Á lista de desexos

IRF7105TRPBF

Parte Stock: 196914

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, 2.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Á lista de desexos

IPG16N10S4L61AATMA1

Parte Stock: 195154

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 16A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 90µA,

Á lista de desexos

IPG20N06S4L14ATMA2

Parte Stock: 126778

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 13.7 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA,

Á lista de desexos