Menu
GalegoGalego
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Transistores - Unixunction programable

2N6027
Central Semiconductor Corp

2N6027

Parte Stock: 76016

Voltaxe: 40V, Disipación de potencia (máx.): 300mW, Tensión - Saída: 6V, Tensión - Offset (Vt): 1.6V, Corrente - Fuga da porta ao ánodo (Igao): 10nA, Actual - Valley (Iv): 50µA,

Á lista de desexos
2N6028
Central Semiconductor Corp

2N6028

Parte Stock: 75982

Voltaxe: 40V, Disipación de potencia (máx.): 300mW, Tensión - Saída: 6V, Tensión - Offset (Vt): 600mV, Corrente - Fuga da porta ao ánodo (Igao): 10nA, Actual - Valley (Iv): 25µA,

Á lista de desexos
CMPP6028 TR
Central Semiconductor Corp

CMPP6028 TR

Parte Stock: 54052

Voltaxe: 40V, Disipación de potencia (máx.): 167mW, Tensión - Saída: 6V, Tensión - Offset (Vt): 600mV, Corrente - Fuga da porta ao ánodo (Igao): 10nA, Actual - Valley (Iv): 25µA,

Á lista de desexos
2N6028RLRMG
ON Semiconductor

2N6028RLRMG

Parte Stock: 2509

Voltaxe: 40V, Disipación de potencia (máx.): 300mW, Tensión - Saída: 11V, Tensión - Offset (Vt): 600mV, Corrente - Fuga da porta ao ánodo (Igao): 10nA, Actual - Valley (Iv): 25µA,

Á lista de desexos
2N6028RLRPG
ON Semiconductor

2N6028RLRPG

Parte Stock: 2537

Voltaxe: 40V, Disipación de potencia (máx.): 300mW, Tensión - Saída: 11V, Tensión - Offset (Vt): 600mV, Corrente - Fuga da porta ao ánodo (Igao): 10nA, Actual - Valley (Iv): 25µA,

Á lista de desexos
2N6027RL1G
ON Semiconductor

2N6027RL1G

Parte Stock: 2538

Voltaxe: 40V, Disipación de potencia (máx.): 300mW, Tensión - Saída: 11V, Tensión - Offset (Vt): 1.6V, Corrente - Fuga da porta ao ánodo (Igao): 10nA, Actual - Valley (Iv): 50µA,

Á lista de desexos
2N6028RLRP
ON Semiconductor

2N6028RLRP

Parte Stock: 2531

Voltaxe: 40V, Disipación de potencia (máx.): 300mW, Tensión - Saída: 11V, Tensión - Offset (Vt): 600mV, Corrente - Fuga da porta ao ánodo (Igao): 10nA, Actual - Valley (Iv): 25µA,

Á lista de desexos
2N6027RL1
ON Semiconductor

2N6027RL1

Parte Stock: 2482

Voltaxe: 40V, Disipación de potencia (máx.): 300mW, Tensión - Saída: 11V, Tensión - Offset (Vt): 1.6V, Corrente - Fuga da porta ao ánodo (Igao): 10nA, Actual - Valley (Iv): 50µA,

Á lista de desexos
2N6028G
ON Semiconductor

2N6028G

Parte Stock: 2534

Voltaxe: 40V, Disipación de potencia (máx.): 300mW, Tensión - Saída: 11V, Tensión - Offset (Vt): 600mV, Corrente - Fuga da porta ao ánodo (Igao): 10nA, Actual - Valley (Iv): 25µA,

Á lista de desexos
2N6027G
ON Semiconductor

2N6027G

Parte Stock: 2493

Voltaxe: 40V, Disipación de potencia (máx.): 300mW, Tensión - Saída: 11V, Tensión - Offset (Vt): 1.6V, Corrente - Fuga da porta ao ánodo (Igao): 10nA, Actual - Valley (Iv): 50µA,

Á lista de desexos
2N6028RLRAG
ON Semiconductor

2N6028RLRAG

Parte Stock: 2505

Voltaxe: 40V, Disipación de potencia (máx.): 300mW, Tensión - Saída: 11V, Tensión - Offset (Vt): 600mV, Corrente - Fuga da porta ao ánodo (Igao): 10nA, Actual - Valley (Iv): 25µA,

Á lista de desexos
2N6027RLRAG
ON Semiconductor

2N6027RLRAG

Parte Stock: 2518

Voltaxe: 40V, Disipación de potencia (máx.): 300mW, Tensión - Saída: 11V, Tensión - Offset (Vt): 1.6V, Corrente - Fuga da porta ao ánodo (Igao): 10nA, Actual - Valley (Iv): 50µA,

Á lista de desexos
2N6028RLRA
ON Semiconductor

2N6028RLRA

Parte Stock: 2522

Voltaxe: 40V, Disipación de potencia (máx.): 300mW, Tensión - Saída: 11V, Tensión - Offset (Vt): 600mV, Corrente - Fuga da porta ao ánodo (Igao): 10nA, Actual - Valley (Iv): 25µA,

Á lista de desexos
2N6027RLRA
ON Semiconductor

2N6027RLRA

Parte Stock: 2457

Voltaxe: 40V, Disipación de potencia (máx.): 300mW, Tensión - Saída: 11V, Tensión - Offset (Vt): 1.6V, Corrente - Fuga da porta ao ánodo (Igao): 10nA, Actual - Valley (Iv): 50µA,

Á lista de desexos