Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

2N7002VAC-7

Parte Stock: 194320

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 280mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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2N7002DWA-7

Parte Stock: 2849

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 180mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 115mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

2N7002V-7

Parte Stock: 3285

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 280mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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2N7002DW-7

Parte Stock: 2713

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 230mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

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2N7002VA-7

Parte Stock: 2624

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 280mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

2N7002VC-7

Parte Stock: 118433

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 280mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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2N7002VA-7-F

Parte Stock: 32301

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 280mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

2N7002DWQ-7-F

Parte Stock: 140472

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 230mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Á lista de desexos

2N7002DW-7-F

Parte Stock: 166409

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 230mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

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ON Semiconductor

2N7002VA

Parte Stock: 174411

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 280mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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ON Semiconductor

2N7002V

Parte Stock: 169832

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 280mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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ON Semiconductor

2N7002DW

Parte Stock: 155725

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 115mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

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2N7002PS/ZLH

Parte Stock: 2995

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 320mA (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Á lista de desexos

2N7002PS/ZLX

Parte Stock: 2959

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 320mA (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Á lista de desexos

2N7002BKS/ZLX

Parte Stock: 3012

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 300mA (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

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2N7002PS,115

Parte Stock: 185058

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 320mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

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2N7002BKV,115

Parte Stock: 165987

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 340mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Á lista de desexos

2N7002BKS,115

Parte Stock: 195974

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 300mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Á lista de desexos

2N7002PS,125

Parte Stock: 136239

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 320mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Á lista de desexos

2N7002PV,115

Parte Stock: 136107

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 350mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Á lista de desexos

2N7002PSZ

Parte Stock: 2453

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 320mA (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

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Microsemi Corporation

2N7335

Parte Stock: 2928

Tipo FET: 4 P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 750mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

2N7334

Parte Stock: 2895

Tipo FET: 4 N-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTC60DSKM24T3G

Parte Stock: 765

Tipo FET: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), Función FET: Super Junction, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 95A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA,

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Infineon Technologies

2N7002DW L6327

Parte Stock: 2853

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 300mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

2N7002DWH6327XTSA1

Parte Stock: 174403

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 300mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

94-3449

Parte Stock: 2628

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Micro Commercial Co

2N7002V-TP

Parte Stock: 2647

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 280mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

Micro Commercial Co

2N7002DW-TP

Parte Stock: 196767

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 115mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Á lista de desexos

ALD114904SAL

Parte Stock: 22935

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Función FET: Depletion Mode, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 10.6V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12mA, 3mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 3.6V, Vgs (th) (Max) @ Id: 360mV @ 1µA,

Á lista de desexos

ALD1102APAL

Parte Stock: 12288

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 10.6V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 270 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 10µA,

Á lista de desexos

ALD110802SCL

Parte Stock: 19206

Tipo FET: 4 N-Channel, Matched Pair, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 10.6V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4.2V, Vgs (th) (Max) @ Id: 220mV @ 1µA,

Á lista de desexos

ALD1103PBL

Parte Stock: 17024

Tipo FET: 2 N and 2 P-Channel Matched Pair, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 10.6V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 40mA, 16mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 75 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 10µA,

Á lista de desexos

ALD114813SCL

Parte Stock: 18848

Tipo FET: 4 N-Channel, Matched Pair, Función FET: Depletion Mode, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 10.6V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12mA, 3mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 2.7V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.26V @ 1µA,

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