Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

QS8K13TCR

Parte Stock: 183897

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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SP8K31TB1

Parte Stock: 132551

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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SH8KA2GZETB

Parte Stock: 158789

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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SH8K5TB1

Parte Stock: 122471

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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QS8K21TR

Parte Stock: 194558

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 45V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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QS8M12TCR

Parte Stock: 150953

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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SH8M14TB1

Parte Stock: 116026

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9A, 7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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IRF7104TRPBF

Parte Stock: 104561

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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IRF7379TRPBF

Parte Stock: 199093

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.8A, 4.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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IPG20N10S4L22AATMA1

Parte Stock: 108999

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA,

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IRF6802SDTRPBF

Parte Stock: 60962

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 16A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA,

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IPG20N06S4L26ATMA1

Parte Stock: 197280

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA,

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IRLHS6376TRPBF

Parte Stock: 115333

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA,

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IRF7902TRPBF

Parte Stock: 168640

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.4A, 9.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 22.6 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA,

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FDS8978

Parte Stock: 143107

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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NTZD5110NT1G

Parte Stock: 185466

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 294mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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FDG6322C

Parte Stock: 124499

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 220mA, 410mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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HUFA76413DK8T-F085

Parte Stock: 2586

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.1A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Á lista de desexos

NTJD5121NT1G

Parte Stock: 179833

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 295mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

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FDPC8012S

Parte Stock: 47700

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 13A, 26A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 12A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Á lista de desexos

MCH6661-TL-W

Parte Stock: 182202

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 188 mOhm @ 900mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA,

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Nexperia USA Inc.

PMDPB85UPE,115

Parte Stock: 183418

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 103 mOhm @ 1.3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA,

Á lista de desexos

Nexperia USA Inc.

PMDT290UNEYL

Parte Stock: 2497

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 800mA (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA,

Á lista de desexos

SI4559ADY-T1-E3

Parte Stock: 141967

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.3A, 3.9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Á lista de desexos

SQ9945BEY-T1_GE3

Parte Stock: 163985

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

SI7922DN-T1-E3

Parte Stock: 86587

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 195 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA,

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Toshiba Semiconductor and Storage

SIA923AEDJ-T1-GE3

Parte Stock: 138927

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

Á lista de desexos

SSM6L12TU,LF

Parte Stock: 2495

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 500mA (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 500mA, 4.5V, 260 mOhm @ 250mA, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA,

Á lista de desexos

DMN63D8LV-7

Parte Stock: 151779

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 260mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

ZDM4306NTC

Parte Stock: 2685

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA,

Á lista de desexos

DMC2990UDJ-7

Parte Stock: 146844

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 450mA, 310mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos

DMN2050LFDB-13

Parte Stock: 178082

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos