Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

Home.
Categoría de produto
Produtos de semicondutores discretos
Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

Microsemi Corporation

APTM120H29FG

Parte Stock: 261

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 34A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM10HM05FG

Parte Stock: 446

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 278A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM50H15FT1G

Parte Stock: 2107

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 25A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 21A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

Á lista de desexos

APTMC170AM30CT1AG

Microsemi Corporation

APTMC170AM30CT1AG

Parte Stock: 139

Tipo FET: 2 N Channel (Phase Leg), Función FET: Silicon Carbide (SiC), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1700V (1.7kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 5mA (Typ),

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM08TAM04PG

Parte Stock: 1065

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 120A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM20HM08FG

Parte Stock: 381

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 208A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM20AM05FG

Parte Stock: 433

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 317A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 158.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM10HM09FT3G

Parte Stock: 940

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 139A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM10HM19FT3G

Parte Stock: 1470

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 70A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTC60HM83FT2G

Parte Stock: 1719

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 36A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTC80H15T1G

Parte Stock: 1728

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 800V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 28A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM50AM38SCTG

Parte Stock: 599

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Silicon Carbide (SiC), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 90A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM20HM10FG

Parte Stock: 489

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 175A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTC60HM45SCTG

Parte Stock: 743

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Super Junction, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 49A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 22.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTC80H15T3G

Parte Stock: 1759

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 800V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 28A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTC60HM35T3G

Parte Stock: 248

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 72A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM50TAM65FPG

Parte Stock: 545

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 51A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTC60TDUM35PG

Parte Stock: 688

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 72A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM10AM05FTG

Parte Stock: 820

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 278A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTC60HM70RT3G

Parte Stock: 1479

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 39A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTC60HM45T1G

Parte Stock: 1300

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 49A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTC80TA15PG

Parte Stock: 1022

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 800V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 28A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTC80H29T3G

Parte Stock: 2362

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 800V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 15A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM50HM75SCTG

Parte Stock: 667

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Silicon Carbide (SiC), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 46A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Á lista de desexos

APTMC120AM20CT1AG

Microsemi Corporation

APTMC120AM20CT1AG

Parte Stock: 173

Tipo FET: 2 N Channel (Phase Leg), Función FET: Silicon Carbide (SiC), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 143A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 2mA (Typ),

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM120A20DG

Parte Stock: 538

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 50A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 6mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTC60AM45T1G

Parte Stock: 293

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 49A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

Á lista de desexos

APTMC120TAM34CT3AG

Microsemi Corporation

APTMC120TAM34CT3AG

Parte Stock: 251

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Silicon Carbide (SiC), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 74A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 50A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA,

Á lista de desexos

APTM50DDAM65T3G

Microsemi Corporation

APTM50DDAM65T3G

Parte Stock: 1269

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 51A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Á lista de desexos

APTC60DDAM24T3G

Microsemi Corporation

APTC60DDAM24T3G

Parte Stock: 1114

Tipo FET: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), Función FET: Super Junction, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 95A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA,

Á lista de desexos

APTM10DSKM19T3G

Microsemi Corporation

APTM10DSKM19T3G

Parte Stock: 1965

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 70A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM20AM06SG

Parte Stock: 553

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 300A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 150A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 6mA,

Á lista de desexos

APTC60DDAM45T1G

Microsemi Corporation

APTC60DDAM45T1G

Parte Stock: 1722

Tipo FET: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), Función FET: Super Junction, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 49A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM100H18FG

Parte Stock: 404

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1000V (1kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 43A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 21.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM100H35FT3G

Parte Stock: 784

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1000V (1kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 22A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM20TAM16FPG

Parte Stock: 537

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 104A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Á lista de desexos

3600

«
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
»