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RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

AO8801
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO8801

Parte Stock: 2932

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos
AO7600_001
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO7600_001

Parte Stock: 2948

Tipo FET: N and P-Channel Complementary, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 900mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 900mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

Á lista de desexos
AO4813_002
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4813_002

Parte Stock: 2925

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.1A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Á lista de desexos
AO5804EL
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO5804EL

Parte Stock: 2976

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 500mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos
AO4606L_DELTA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4606L_DELTA

Parte Stock: 3321

Tipo FET: N and P-Channel Complementary, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Á lista de desexos
AO4606L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4606L

Parte Stock: 2899

Tipo FET: N and P-Channel Complementary, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Á lista de desexos
AO5600EL
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO5600EL

Parte Stock: 2971

Tipo FET: N and P-Channel Complementary, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 600mA, 500mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos
AON7812
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7812

Parte Stock: 2939

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Á lista de desexos
AON7932_101
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7932_101

Parte Stock: 2926

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.6A, 8.1A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Á lista de desexos
AON6920_001
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6920_001

Parte Stock: 2964

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 15A, 26.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA,

Á lista de desexos
AON4807_001
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON4807_001

Parte Stock: 2926

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA,

Á lista de desexos
AON5820_101
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON5820_101

Parte Stock: 2917

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos
AON4605_001
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON4605_001

Parte Stock: 2976

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.3A, 3.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Á lista de desexos
AON3816_101
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON3816_101

Parte Stock: 2894

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

Á lista de desexos
AON2801L#A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON2801L#A

Parte Stock: 2910

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos
AO8822#A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO8822#A

Parte Stock: 2896

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos
AO9926BL
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO9926BL

Parte Stock: 2902

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

Á lista de desexos
AO8814#A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO8814#A

Parte Stock: 3370

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos
AO8810#A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO8810#A

Parte Stock: 2910

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

Á lista de desexos
AO8804_100
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO8804_100

Parte Stock: 2966

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos
AO8801L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO8801L

Parte Stock: 2934

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.7A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos
AO6808_101
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6808_101

Parte Stock: 2934

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos
AO6804A_101
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6804A_101

Parte Stock: 2888

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos
AO6800L_003
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6800L_003

Parte Stock: 2966

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Á lista de desexos
AO6802L_001
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6802L_001

Parte Stock: 3346

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Á lista de desexos
AO6601_001
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6601_001

Parte Stock: 2917

Tipo FET: N and P-Channel Complementary, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.4A, 2.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Á lista de desexos
AO4924L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4924L

Parte Stock: 2906

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 15.8 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Á lista de desexos
AO4914L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4914L

Parte Stock: 2904

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Á lista de desexos
AO4914_101
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4914_101

Parte Stock: 2904

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Á lista de desexos
AO4884L_001
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4884L_001

Parte Stock: 2962

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA,

Á lista de desexos
AO4852L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4852L

Parte Stock: 2894

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA,

Á lista de desexos
AO4854L_102
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4854L_102

Parte Stock: 2971

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Á lista de desexos
AO4850L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4850L

Parte Stock: 2977

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Á lista de desexos
AO4842L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4842L

Parte Stock: 2887

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA,

Á lista de desexos
AO4828L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4828L

Parte Stock: 2944

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Á lista de desexos
AO4830L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4830L

Parte Stock: 2941

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 80V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA,

Á lista de desexos