Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

AO4850

Parte Stock: 2967

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

AON3814L

Parte Stock: 3020

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

AON5802BL

Parte Stock: 2948

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.2A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

AO6800L

Parte Stock: 2951

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.4A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

AO6601L

Parte Stock: 2994

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.4A (Ta), 2.3A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3A, 10V, 135 mOhm @ 2.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

AO4840L

Parte Stock: 2989

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

AO4840L_102

Parte Stock: 2965

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

AO4818BL_102

Parte Stock: 2970

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AO4616L_103

Parte Stock: 2955

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8.1A (Ta), 7.1A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8.1A, 10V, 25 mOhm @ 7.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 2.7V @ 250µA,

AO4614BL_DELTA

Parte Stock: 2928

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A (Ta), 5A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, 45 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

AO4616L

Parte Stock: 2992

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8.1A (Ta), 7.1A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8.1A, 10V, 25 mOhm @ 7.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 2.7V @ 250µA,

AO4614BL

Parte Stock: 3018

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A (Ta), 5A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, 45 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

AO4614BL_201

Parte Stock: 3023

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A (Ta), 5A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, 45 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

AO4600CL

Parte Stock: 3010

AO4612L

Parte Stock: 3004

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A (Ta), 3.2A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, 105 mOhm @ 3.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

AO4600C

Parte Stock: 3327

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.5A (Ta), 5.6A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7.5A, 10V, 42 mOhm @ 5.6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, 1.3V @ 250µA,

AOC3864

Parte Stock: 2968

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Standard, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA,

AOC3860

Parte Stock: 2997

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Standard, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

AON6884L_002

Parte Stock: 2922

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 34A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 11.3 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA,

AOD604

Parte Stock: 2914

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

AO8830

Parte Stock: 2957

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

AO4946

Parte Stock: 2984

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8.6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AO4622

Parte Stock: 2934

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

AOD607_DELTA

Parte Stock: 2968

Tipo FET: N and P-Channel Complementary, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 12A, 10V, 37 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 2.4V @ 250µA,

AOD607_001

Parte Stock: 2916

Tipo FET: N and P-Channel Complementary, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12A (Tc),

AON5802B_101

Parte Stock: 2938

AON5802ALS

Parte Stock: 2904

AON4807_101

Parte Stock: 2919

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA,

AOC2802_001

Parte Stock: 2960

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

AON2801L

Parte Stock: 2975

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

AO9926BL_101

Parte Stock: 2900

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

APTJC120AM25VCT1AG

Parte Stock: 3378

APTMC120HR11CT3AG

Parte Stock: 2997

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Silicon Carbide (SiC), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 26A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 20A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 5mA,

APTM20DHM20TG

Parte Stock: 2966

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 89A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 44.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTM120TA57FPG

Parte Stock: 3311

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 17A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

APTC80DSK15T3G

Parte Stock: 2936

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 800V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 28A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA,