Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | Produtos de semicondutores discretos | 100

APTM10DUM05TG

Parte Stock: 2783

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 278A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM10DHM09TG

Parte Stock: 2789

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 139A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM10DDAM19T3G

Parte Stock: 2824

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 70A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

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Microsemi Corporation

APTM100TDU35PG

Parte Stock: 2796

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1000V (1kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 22A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM10DDAM09T3G

Parte Stock: 2768

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 139A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM100DUM90G

Parte Stock: 2758

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1000V (1kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 78A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

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Microsemi Corporation

APTM100H80FT1G

Parte Stock: 2809

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1000V (1kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 960 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM100DU18TG

Parte Stock: 2809

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1000V (1kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 43A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 21.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM100DDA35T3G

Parte Stock: 2731

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1000V (1kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 22A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM100A46FT1G

Parte Stock: 2813

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1000V (1kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 19A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 552 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM100A40FT1G

Parte Stock: 2805

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1000V (1kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 21A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM100A12STG

Parte Stock: 2822

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1000V (1kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 68A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 34A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

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Microsemi Corporation

APTM100A23SCTG

Parte Stock: 2760

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Silicon Carbide (SiC), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1000V (1kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 36A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM08TDUM04PG

Parte Stock: 2746

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 120A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

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Microsemi Corporation

APTC80H29T1G

Parte Stock: 2742

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 800V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 15A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA,

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Microsemi Corporation

APTC80DSK29T3G

Parte Stock: 2793

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 800V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 15A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTC80H29SCTG

Parte Stock: 1092

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 800V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 15A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTC80DDA29T3G

Parte Stock: 2788

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 800V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 15A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTC80A15T1G

Parte Stock: 2799

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 800V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 28A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTC80AM75SCG

Parte Stock: 594

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 800V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 56A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 28A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 4mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTC80A10SCTG

Parte Stock: 863

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 800V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 42A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 21A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTC60DSKM70T3G

Parte Stock: 2751

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 39A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTC60DSKM35T3G

Parte Stock: 2727

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 72A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTC60DDAM70T3G

Parte Stock: 2741

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 39A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTC60AM70T1G

Parte Stock: 2769

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 39A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

Á lista de desexos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON5802A

Parte Stock: 2728

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON3810

Parte Stock: 2760

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON3806

Parte Stock: 2744

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

Á lista de desexos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD606

Parte Stock: 2755

Tipo FET: N and P-Channel, Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Á lista de desexos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO8803

Parte Stock: 2798

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO7600

Parte Stock: 2769

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 900mA, 600mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 900mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

Á lista de desexos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6804

Parte Stock: 2805

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Á lista de desexos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4932

Parte Stock: 2765

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11A, 8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Á lista de desexos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4826

Parte Stock: 2775

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Á lista de desexos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOP610

Parte Stock: 2727

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Á lista de desexos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4619

Parte Stock: 3310

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA,

Á lista de desexos