Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | Produtos de semicondutores discretos | 100

BSL315PL6327HTSA1

Parte Stock: 2825

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA,

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Infineon Technologies

BSL215CL6327HTSA1

Parte Stock: 2784

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSL215PL6327HTSA1

Parte Stock: 2866

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA,

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Infineon Technologies

BSL205NL6327HTSA1

Parte Stock: 5353

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 11µA,

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Infineon Technologies

BSD235N L6327

Parte Stock: 3373

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 950mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 950mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSL214NL6327HTSA1

Parte Stock: 2788

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSL316CL6327HTSA1

Parte Stock: 2849

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.4A, 1.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSD235C L6327

Parte Stock: 2795

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 950mA, 530mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 950mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA,

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Infineon Technologies

BTS7904BATMA1

Parte Stock: 2849

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 40A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 11.7 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA,

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Infineon Technologies

BSD223P L6327

Parte Stock: 2843

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 390mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSO200N03

Parte Stock: 2769

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA,

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Infineon Technologies

BSO350N03

Parte Stock: 2710

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 6µA,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSO150N03

Parte Stock: 2753

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 9.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA,

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Infineon Technologies

BSO303PNTMA1

Parte Stock: 2695

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA,

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Infineon Technologies

BSO615CT

Parte Stock: 2762

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.1A, 2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA,

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Infineon Technologies

BSO4804T

Parte Stock: 2714

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA,

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Infineon Technologies

BSO612CV

Parte Stock: 2724

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3A, 2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA,

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Infineon Technologies

BSO615N

Parte Stock: 2704

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA,

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Infineon Technologies

BSO215C

Parte Stock: 2649

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSO4804

Parte Stock: 2708

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSO207PNTMA1

Parte Stock: 2681

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 40µA,

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Infineon Technologies

BSO203PNTMA1

Parte Stock: 2677

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA,

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Infineon Technologies

BSO204PNTMA1

Parte Stock: 2710

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 60µA,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSD223P

Parte Stock: 3281

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 390mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSD235NH6327XTSA1

Parte Stock: 196176

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 950mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 950mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSO211PNTMA1

Parte Stock: 2608

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSO220N03MDGXUMA1

Parte Stock: 21576

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSC150N03LDGATMA1

Parte Stock: 32315

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSO150N03MDGXUMA1

Parte Stock: 53402

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 9.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSG0810NDIATMA1

Parte Stock: 66407

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Función FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 19A, 39A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSG0811NDATMA1

Parte Stock: 73789

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Función FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 19A, 41A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSG0813NDIATMA1

Parte Stock: 73114

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Función FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 25V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 19A, 33A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Á lista de desexos

Diodes Incorporated

BSS8402DW-7

Parte Stock: 2712

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 115mA, 130mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

Diodes Incorporated

BSS84DW-7

Parte Stock: 2665

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 130mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

Á lista de desexos

Diodes Incorporated

BSS138DW-7

Parte Stock: 2708

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 200mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

Nexperia USA Inc.

BSS84AKV,115

Parte Stock: 198874

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 170mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Á lista de desexos