Transistores - bipolares (BJT) - sinxelos | Produtos de semicondutores discretos | 11

2SA949-Y,ONK-1F(M

Parte Stock: 6969

Tipo de transistor: PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 150V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O(TE6,F,M)

Parte Stock: 7016

Tipo de transistor: PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 800mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,ONK-1F(J

Parte Stock: 6976

Tipo de transistor: PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 150V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,F(J

Parte Stock: 6938

Tipo de transistor: PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 150V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(TE6,F,M)

Parte Stock: 6937

Tipo de transistor: PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 150V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6SHRP,FM

Parte Stock: 6975

Tipo de transistor: PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 150V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6ONK1,FM

Parte Stock: 6952

Tipo de transistor: PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 150V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6JVC1,FM

Parte Stock: 7006

Tipo de transistor: PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 150V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-O(TE6,F,M)

Parte Stock: 6949

Tipo de transistor: PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 150V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(JVC1,F,M)

Parte Stock: 6969

Tipo de transistor: PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 150V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

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2SA1972,T6WNLF(J

Parte Stock: 5673

Tipo de transistor: PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 500mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 400V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 10µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 140 @ 20mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1972,F(J

Parte Stock: 6973

Tipo de transistor: PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 500mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 400V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 10µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 140 @ 20mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,SINFQ(J

Parte Stock: 7026

Tipo de transistor: PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 5A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 1µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,Q(J

Parte Stock: 6986

Tipo de transistor: PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 5A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 1µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NIKKIQ(J

Parte Stock: 6951

Tipo de transistor: PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 5A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 1µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NSEIKIQ(J

Parte Stock: 6948

Tipo de transistor: PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 5A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 1µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NETQ(M

Parte Stock: 6957

Tipo de transistor: PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 5A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 1µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

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2SA1931,NETQ(J

Parte Stock: 6946

Tipo de transistor: PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 5A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 1µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,BOSCHQ(J

Parte Stock: 6957

Tipo de transistor: PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 5A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 1µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,KEHINQ(M

Parte Stock: 6765

Tipo de transistor: PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 5A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 1µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931(NOMARK,A,Q

Parte Stock: 6941

Tipo de transistor: PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 5A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 1µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,Q(J

Parte Stock: 7022

Tipo de transistor: PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 2A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 180V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 5µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,ONKQ(J

Parte Stock: 6775

Tipo de transistor: PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 2A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 180V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 5µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,CKQ(J

Parte Stock: 6939

Tipo de transistor: PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 2A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 180V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 5µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,LBS2DIAQ(J

Parte Stock: 7019

Tipo de transistor: PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 2A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 180V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 5µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930(ONK,Q,M)

Parte Stock: 6989

Tipo de transistor: PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 2A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 180V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 5µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930(LBS2MATQ,M

Parte Stock: 6940

Tipo de transistor: PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 2A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 180V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 5µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y,Q(J

Parte Stock: 7005

Tipo de transistor: PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 3A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 1µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y,MTSAQ(J

Parte Stock: 6727

Tipo de transistor: PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 3A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 1µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y(Q,M)

Parte Stock: 7004

Tipo de transistor: PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 3A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 1µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y(JKT,Q,M)

Parte Stock: 6990

Tipo de transistor: PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 3A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 1µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,YHF(M

Parte Stock: 6947

Tipo de transistor: PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 1A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 230V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 1µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,YHF(J

Parte Stock: 6752

Tipo de transistor: PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 1A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 230V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 1µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,WNLF(J

Parte Stock: 6966

Tipo de transistor: PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 1A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 230V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 1µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,TOA1F(J

Parte Stock: 6942

Tipo de transistor: PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 1A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 230V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 1µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,NSEIKIF(J

Parte Stock: 6984

Tipo de transistor: PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 1A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 230V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 1µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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