Transistores - bipolares (BJT) - sinxelos | Produtos de semicondutores discretos | 11

2SD2695(T6CNO,A,F)

Parte Stock: 7027

Tipo de transistor: NPN, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 2A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 10µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695(T6CANO,F,M

Parte Stock: 7067

Tipo de transistor: NPN, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 2A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 10µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695(T6CANO,A,F

Parte Stock: 6998

Tipo de transistor: NPN, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 2A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 60V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 10µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

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2SD2257,NIKKIQ(J

Parte Stock: 7056

Tipo de transistor: NPN, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 3A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 100V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 10µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257,Q(J

Parte Stock: 6993

Tipo de transistor: NPN, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 3A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 100V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 10µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

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2SD2257(Q,M)

Parte Stock: 7066

Tipo de transistor: NPN, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 3A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 100V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 10µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

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2SD2257,KEHINQ(J

Parte Stock: 6789

Tipo de transistor: NPN, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 3A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 100V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 10µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(CANO,A,Q)

Parte Stock: 6792

Tipo de transistor: NPN, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 3A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 100V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 10µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

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2SD2257(CANO,Q,M)

Parte Stock: 6778

Tipo de transistor: NPN, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 3A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 100V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 10µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

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2SD2206A(T6SEP,F,M

Parte Stock: 6989

Tipo de transistor: NPN, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 2A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

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2SD2206,T6F(J

Parte Stock: 7064

Tipo de transistor: NPN, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 2A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 100V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 10µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

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2SD2206(TE6,F,M)

Parte Stock: 7008

Tipo de transistor: NPN, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 2A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 100V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 10µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

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2SD2206(T6CNO,A,F)

Parte Stock: 7045

Tipo de transistor: NPN, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 2A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 100V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 10µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(T6CANO,F,M

Parte Stock: 7037

Tipo de transistor: NPN, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 2A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 100V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 10µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2129,ALPSQ(M

Parte Stock: 7039

Tipo de transistor: NPN, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 3A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 100V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 3V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2129,LS4ALPSQ(M

Parte Stock: 7003

Tipo de transistor: NPN, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 3A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 100V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 3V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6042,T2WNLQ(J

Parte Stock: 7001

Tipo de transistor: NPN, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 1A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 375V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6139,T2F(M

Parte Stock: 6717

Tipo de transistor: NPN, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 1.5A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 160V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6040,T2Q(J

Parte Stock: 7021

Tipo de transistor: NPN, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 1A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 800V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V,

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2SC6042,T2HOSH1Q(J

Parte Stock: 7019

Tipo de transistor: NPN, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 1A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 375V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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2SC6010(T2MITUM,FM

Parte Stock: 6714

Tipo de transistor: NPN, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 1A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 600V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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2SC6040(TPF2,Q,M)

Parte Stock: 7015

Tipo de transistor: NPN, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 1A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 800V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5930(TPF2,F,M)

Parte Stock: 6994

Tipo de transistor: NPN, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 1A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 600V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5930(T2MITUM,FM

Parte Stock: 6971

Tipo de transistor: NPN, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 1A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 600V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,T6F(J

Parte Stock: 6716

Tipo de transistor: NPN, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 600V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 1µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,T6MURAF(J

Parte Stock: 7019

Tipo de transistor: NPN, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 600V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 1µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,F(J

Parte Stock: 6724

Tipo de transistor: NPN, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 600V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 1µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201(TE6,F,M)

Parte Stock: 6968

Tipo de transistor: NPN, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 600V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 1µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5172(YAZK,Q,M)

Parte Stock: 7006

Tipo de transistor: NPN, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 5A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 400V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 2A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 20µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201(T6MURATAFM

Parte Stock: 7026

Tipo de transistor: NPN, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 50mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 600V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 1µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,Q(J

Parte Stock: 6967

Tipo de transistor: NPN, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 2A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 180V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 5µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,ONKQ(J

Parte Stock: 6979

Tipo de transistor: NPN, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 2A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 180V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 5µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171(ONK,Q,M)

Parte Stock: 6992

Tipo de transistor: NPN, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 2A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 180V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 5µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,MATUDQ(J

Parte Stock: 7059

Tipo de transistor: NPN, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 2A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 180V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 5µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171(LBS2MATQ,M

Parte Stock: 6988

Tipo de transistor: NPN, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 2A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 180V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 5µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4935-Y,Q(J

Parte Stock: 7005

Tipo de transistor: NPN, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 3A, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Actual: límite de coleccionista (máximo): 1µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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