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RFQS / Order.
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Diodos - Rectificadores - Sinxelos

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CRG09(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRG09(TE85L,Q,M)

Parte Stock: 193

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 700mA, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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CUS04(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS04(TE85L,Q,M)

Parte Stock: 250

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 700mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 700mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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CMH08(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH08(TE12L,Q,M)

Parte Stock: 223

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 100ns,

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CUS10I40A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10I40A(TE85L,QM

Parte Stock: 162

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490mV @ 700mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CRG07(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRG07(TE85L,Q,M)

Parte Stock: 183

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 700mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 700mA, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CMH05(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH05(TE12L,Q,M)

Parte Stock: 178

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 100ns,

Wishlist.
CRS14(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS14(TE85L,Q,M)

Parte Stock: 166

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CMS10(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS10(TE12L,Q,M)

Parte Stock: 130001

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CLH02(TE16L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH02(TE16L,Q)

Parte Stock: 2615

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 300V, Actual - Media rectificada (Io): 3A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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CLS02(TE16L,HIT,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(TE16L,HIT,Q)

Parte Stock: 2547

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 10A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.55V @ 10A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CLS02(T6L,CANO-O,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(T6L,CANO-O,Q

Parte Stock: 2587

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 10A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.55V @ 10A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CLS03(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16R,Q)

Parte Stock: 2557

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 10A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.58V @ 10A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CLH02(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH02(TE16R,Q)

Parte Stock: 2558

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 300V, Actual - Media rectificada (Io): 3A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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CLH05,LMBJQ(O
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05,LMBJQ(O

Parte Stock: 2588

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 5A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.98V @ 5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

Wishlist.
CLH07(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH07(TE16R,Q)

Parte Stock: 2552

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 5A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

Wishlist.
CLS01(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(TE16R,Q)

Parte Stock: 2596

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 10A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.47V @ 10A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CLS03(T6L,SHINA,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(T6L,SHINA,Q)

Parte Stock: 2554

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 10A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.58V @ 10A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CLH01(TE16L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH01(TE16L,Q)

Parte Stock: 2598

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 3A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.98V @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

Wishlist.
CLH05(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05(TE16R,Q)

Parte Stock: 2581

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 5A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.98V @ 5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

Wishlist.
CLS03(TE16L,PCD,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,PCD,Q)

Parte Stock: 2562

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 10A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.58V @ 10A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CLS02(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(TE16R,Q)

Parte Stock: 2544

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 10A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.55V @ 10A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CLS02(T6L,CLAR,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(T6L,CLAR,Q)

Parte Stock: 2597

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 10A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.55V @ 10A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CLS02(TE16L,SQC,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(TE16L,SQC,Q)

Parte Stock: 2590

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 10A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.55V @ 10A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CLH06(TE16L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH06(TE16L,Q)

Parte Stock: 2608

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 300V, Actual - Media rectificada (Io): 5A (DC), Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

Wishlist.
CLH01(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH01(TE16R,Q)

Parte Stock: 2533

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 3A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.98V @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

Wishlist.
CLS01,LFJFQ(O
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01,LFJFQ(O

Parte Stock: 2549

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 10A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.47V @ 10A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CLS03,LNITTOQ(O
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03,LNITTOQ(O

Parte Stock: 2564

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 10A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.58V @ 10A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CLS03(T6L,CANO-O,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(T6L,CANO-O,Q

Parte Stock: 2613

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 10A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.58V @ 10A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CLH03(TE16L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH03(TE16L,Q)

Parte Stock: 2603

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 3A (DC), Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

Wishlist.
CLS03(TE16L,SQC,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,SQC,Q)

Parte Stock: 2602

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 10A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.58V @ 10A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CLS03(TE16L,PSD,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,PSD,Q)

Parte Stock: 5263

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 10A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.58V @ 10A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CLH07(TE16L,NMB,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH07(TE16L,NMB,Q)

Parte Stock: 2547

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 5A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

Wishlist.
CLS03(TE16L,DNSO,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,DNSO,Q

Parte Stock: 2552

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 10A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 0.58V @ 10A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CLH06(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH06(TE16R,Q)

Parte Stock: 5332

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 300V, Actual - Media rectificada (Io): 5A (DC), Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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CCS15S30,L3IDTF
Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S30,L3IDTF

Parte Stock: 2062

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CMH05A(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH05A(TE12L,Q,M)

Parte Stock: 102694

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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