Menu
GalegoGalego
RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Diodos - Rectificadores - Sinxelos

  • Home.
  •  
  • Diodos - Rectificadores - Sinxelos
CMS17(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS17(TE12L,Q,M)

Parte Stock: 117

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CMS30I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS30I40A(TE12L,QM

Parte Stock: 100

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CRF02(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRF02(TE85L,Q,M)

Parte Stock: 88

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 500mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3V @ 500mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 100ns,

Wishlist.
CRS20I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS20I30A(TE85L,QM

Parte Stock: 166057

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CRS12(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS12(TE85L,Q,M)

Parte Stock: 177271

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CRS15I30B(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS15I30B(TE85L,QM

Parte Stock: 79

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400mV @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CMS15(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS15(TE12L,Q,M)

Parte Stock: 163

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CMF01(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMF01(TE12L,Q,M)

Parte Stock: 194437

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2V @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 100ns,

Wishlist.
CRG04(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRG04(TE85L,Q,M)

Parte Stock: 185173

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CRF03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRF03(TE85L,Q,M)

Parte Stock: 157727

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 700mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2V @ 700mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 100ns,

Wishlist.
CRH01(TE85R,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85R,Q,M)

Parte Stock: 160805

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

Wishlist.
CMS10I30A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS10I30A(TE12L,QM

Parte Stock: 142

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CMS07(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS07(TE12L,Q,M)

Parte Stock: 160837

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CRG03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRG03(TE85L,Q,M)

Parte Stock: 187277

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CMS10I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS10I40A(TE12L,QM

Parte Stock: 192

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CRS03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS03(TE85L,Q,M)

Parte Stock: 104522

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CMS20I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS20I40A(TE12L,QM

Parte Stock: 152

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CES520,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CES520,L3F

Parte Stock: 178640

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 200mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Wishlist.
CES521,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CES521,L3F

Parte Stock: 160204

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 200mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 200mA, Velocidade: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Wishlist.
TRS12E65C,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TRS12E65C,S1Q

Parte Stock: 5730

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 12A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 12A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

Wishlist.
CUS06(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS06(TE85L,Q,M)

Parte Stock: 236

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 700mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CMS14(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS14(TE12L,Q,M)

Parte Stock: 113027

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CUS10I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10I30A(TE85L,QM

Parte Stock: 200

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 390mV @ 700mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CMS16(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS16(TE12L,Q,M)

Parte Stock: 182845

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CMG02(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMG02(TE12L,Q,M)

Parte Stock: 177

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CUS15I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15I30A(TE85L,QM

Parte Stock: 158

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 460mV @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CMH01(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH01(TE12L,Q,M)

Parte Stock: 162

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 100ns,

Wishlist.
CUS03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS03(TE85L,Q,M)

Parte Stock: 175

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 700mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520mV @ 700mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CUS05(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05(TE85L,Q,M)

Parte Stock: 154

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 370mV @ 700mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CRH02(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRH02(TE85L,Q,M)

Parte Stock: 159

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 500mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 500mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

Wishlist.
CMH04(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH04(TE12L,Q,M)

Parte Stock: 168712

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

Wishlist.
CMH08A(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH08A(TE12L,Q,M)

Parte Stock: 153282

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

Wishlist.
CMC02(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMC02(TE12L,Q,M)

Parte Stock: 171

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CMS30I30A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS30I30A(TE12L,QM

Parte Stock: 187

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.
CMH02A(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH02A(TE12L,Q,M)

Parte Stock: 184

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 100ns,

Wishlist.
CMG03(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMG03(TE12L,Q,M)

Parte Stock: 172

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.