Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1400V, Actual - Media rectificada (Io): 25A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 60A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1600V, Actual - Media rectificada (Io): 25A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 60A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 25A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 60A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 25A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 60A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1600V, Actual - Media rectificada (Io): 25A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 60A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 25A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 60A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 2A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,
Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 25A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 60A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 25A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 60A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 25A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 60A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 10A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 10A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,
Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 300A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 300A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1400V, Actual - Media rectificada (Io): 25A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 60A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io): 300A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 300A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 45V, Actual - Media rectificada (Io): 200A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 3300V, Actual - Media rectificada (Io): 300mA, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 300mA, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,
Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 1A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,
Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 200A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),
Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 2.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 1A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,
Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 5A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 2A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,
Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 2A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,
Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 10A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2V @ 10A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,