Diodos - Rectificadores - Sinxelos | Produtos de semicondutores discretos | 21

S400KR

Parte Stock: 2009

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 400A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

SD4145

Parte Stock: 6509

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 45V, Actual - Media rectificada (Io): 30A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680mV @ 30A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR12M05

Parte Stock: 9525

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 12A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 12A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

S85YR

Parte Stock: 7151

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1600V, Actual - Media rectificada (Io): 85A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 85A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GB02SLT12-214

Parte Stock: 28962

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 2A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 1A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

GB01SLT06-214

Parte Stock: 37909

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 650V, Actual - Media rectificada (Io): 1A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2V @ 1A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

GB02SHT01-46

Parte Stock: 1555

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 4A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 1A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

S40Q

Parte Stock: 7175

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 40A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 40A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR85JR02

Parte Stock: 5989

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 85A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 85A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 250ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR70G02

Parte Stock: 9642

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 70A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 70A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

GB20SLT12-247

Parte Stock: 2856

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 20A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2V @ 20A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

S300YR

Parte Stock: 1824

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1600V, Actual - Media rectificada (Io): 300A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S40B

Parte Stock: 11196

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 40A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 40A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GB02SLT12-220

Parte Stock: 17999

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 2A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBR8045R

Parte Stock: 4212

Tipo de diodo: Schottky, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 45V, Actual - Media rectificada (Io): 80A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 80A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR30J02

Parte Stock: 7131

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 30A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 30A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20045

Parte Stock: 2177

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 45V, Actual - Media rectificada (Io): 200A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 200A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S85VR

Parte Stock: 7084

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1400V, Actual - Media rectificada (Io): 85A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 85A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR3560R

Parte Stock: 4392

Tipo de diodo: Schottky, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 35A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 35A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR85JR05

Parte Stock: 5997

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 85A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 85A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

S85Q

Parte Stock: 7124

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 85A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 85A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S40KR

Parte Stock: 8348

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 40A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 40A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR40G02

Parte Stock: 7130

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 40A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 40A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBRH12040R

Parte Stock: 2457

Tipo de diodo: Schottky, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 120A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 120A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GB02SHT03-46

Parte Stock: 1505

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 300V, Actual - Media rectificada (Io): 4A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 1A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20045R

Parte Stock: 2179

Tipo de diodo: Schottky, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 45V, Actual - Media rectificada (Io): 200A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 200A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GB50SLT12-247

Parte Stock: 771

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 50A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 50A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR40KR05

Parte Stock: 7134

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 40A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 40A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR20GR02

Parte Stock: 7177

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 20A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 20A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

GB02SHT06-46

Parte Stock: 1373

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 4A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 1A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR70GR02

Parte Stock: 7175

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 70A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 70A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR30G02

Parte Stock: 7099

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 30A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 30A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

S85JR

Parte Stock: 7155

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 85A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 85A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR3545

Parte Stock: 4428

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 45V, Actual - Media rectificada (Io): 35A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680mV @ 35A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S300Y

Parte Stock: 1833

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1600V, Actual - Media rectificada (Io): 300A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S85J

Parte Stock: 7670

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 85A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 85A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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