Diodos - Rectificadores - Sinxelos | Produtos de semicondutores discretos | 21

MBR8045

Parte Stock: 4200

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 45V, Actual - Media rectificada (Io): 80A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 80A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH30020RL

Parte Stock: 2354

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io): 300A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 300A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR30GR02

Parte Stock: 7100

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 30A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 30A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBRH30040RL

Parte Stock: 2289

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 300A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH30045L

Parte Stock: 2377

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 45V, Actual - Media rectificada (Io): 300A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR5010R

Parte Stock: 5676

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 50A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 50A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR85G02

Parte Stock: 6031

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 85A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 85A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR40MR05

Parte Stock: 7147

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 40A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 40A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR85GR02

Parte Stock: 6017

Tipo de diodo: Standard, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 85A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 85A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBRH30030L

Parte Stock: 2356

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 300A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 300A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURH7060R

Parte Stock: 2350

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 70A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 70A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 110ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBRH30045RL

Parte Stock: 2334

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 45V, Actual - Media rectificada (Io): 300A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH30040L

Parte Stock: 2296

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 300A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH30035L

Parte Stock: 2318

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 35V, Actual - Media rectificada (Io): 300A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH30035RL

Parte Stock: 5231

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 35V, Actual - Media rectificada (Io): 300A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 300A,

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20035L

Parte Stock: 2307

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 35V, Actual - Media rectificada (Io): 200A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20045RL

Parte Stock: 2242

Tipo de diodo: Schottky, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 45V, Actual - Media rectificada (Io): 200A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH15020RL

Parte Stock: 2232

Tipo de diodo: Schottky, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io): 150A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 150A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GAP05SLT80-220

Parte Stock: 311

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 8000V, Actual - Media rectificada (Io): 50mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 4.6V @ 50mA, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20020RL

Parte Stock: 2319

Tipo de diodo: Schottky, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io): 200A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 200mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH15045RL

Parte Stock: 2265

Tipo de diodo: Schottky, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 45V, Actual - Media rectificada (Io): 150A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 150A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH15030L

Parte Stock: 2239

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 150A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 150A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20020L

Parte Stock: 2328

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io): 200A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 200mA, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH15040L

Parte Stock: 2310

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 150A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 150A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH15035L

Parte Stock: 2284

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 35V, Actual - Media rectificada (Io): 150A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 150A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20030L

Parte Stock: 2270

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 200A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 200A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20040RL

Parte Stock: 2239

Tipo de diodo: Schottky, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 200A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH20035RL

Parte Stock: 5225

Tipo de diodo: Schottky, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 35V, Actual - Media rectificada (Io): 200A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH15040RL

Parte Stock: 2278

Tipo de diodo: Schottky, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 150A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 150A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH15035RL

Parte Stock: 2301

Tipo de diodo: Schottky, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 35V, Actual - Media rectificada (Io): 150A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 150A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH15020L

Parte Stock: 2249

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io): 150A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 150A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH15030RL

Parte Stock: 2239

Tipo de diodo: Schottky, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 150A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH15045L

Parte Stock: 2267

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 45V, Actual - Media rectificada (Io): 150A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 150A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR6A02

Parte Stock: 10367

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 6A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

GB01SLT12-220

Parte Stock: 20747

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 1A, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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GeneSiC Semiconductor

GAP3SLT33-214

Parte Stock: 5683

Tipo de diodo: Silicon Carbide Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 3300V, Actual - Media rectificada (Io): 300mA (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2V @ 300mA, Velocidade: No Recovery Time > 500mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 0ns,

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