Diodos - Rectificadores - Matrices

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Diodos - Rectificadores - Matrices

GeneSiC Semiconductor

MBR40035CTR

Parte Stock: 1389

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 35V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 400A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 200A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR400150CT

Parte Stock: 1554

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 200A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT60030

Parte Stock: 891

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 600A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR10020CTR

Parte Stock: 1535

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 100A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 50A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR12045CT

Parte Stock: 1536

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 45V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 120A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 60A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT60080

Parte Stock: 897

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 80V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 600A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 300A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X120A120

Parte Stock: 3151

Configuración do diodo: 2 Independent, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 120V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 120A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 120A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR20035CTR

Parte Stock: 1554

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 35V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT40040

Parte Stock: 880

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 400A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 200A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR60030CT

Parte Stock: 983

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 300A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A180

Parte Stock: 3596

Configuración do diodo: 2 Independent, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 180V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 50A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 50A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA30040R

Parte Stock: 935

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 150A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 150A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR600200CTR

Parte Stock: 956

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 300A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 300A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA60040R

Parte Stock: 1014

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 600A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 300A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X120A060

Parte Stock: 3220

Configuración do diodo: 2 Independent, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 120A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 120A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT20005

Parte Stock: 1230

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR20010CTR

Parte Stock: 1241

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT150100(A)D

Parte Stock: 1863

Configuración do diodo: 1 Pair Series Connection, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 150A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 150A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA40040R

Parte Stock: 964

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 200A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT100140(A)D

Parte Stock: 1918

Configuración do diodo: 1 Pair Series Connection, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1400V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 100A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 100A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT60035R

Parte Stock: 968

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 35V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 600A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X160A150

Parte Stock: 2527

Configuración do diodo: 2 Independent, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 160A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 160A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT20035R

Parte Stock: 1367

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 35V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR40010CTR

Parte Stock: 1252

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 400A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 125A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR30010CTR

Parte Stock: 1392

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 300A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR200150CTR

Parte Stock: 1502

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 100A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR20005CT

Parte Stock: 1207

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR300200CT

Parte Stock: 1452

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 150A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 150A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A04

Parte Stock: 2843

Configuración do diodo: 2 Independent, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR30040CTR

Parte Stock: 1329

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 300A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR12060CT

Parte Stock: 1522

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 120A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 60A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A060

Parte Stock: 3312

Configuración do diodo: 2 Independent, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 100A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST100200

Parte Stock: 1661

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 50A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 50A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT500100R

Parte Stock: 1083

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 500A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 250A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA40020R

Parte Stock: 985

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 200A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT200150

Parte Stock: 1643

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 100A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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