Diodos - Rectificadores - Matrices | Produtos de semicondutores discretos | 25

MBRT400200

Parte Stock: 2222

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 200A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT150120(A)D

Parte Stock: 1856

Configuración do diodo: 1 Pair Series Connection, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 150A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 150A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR400100CTR

Parte Stock: 1349

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 400A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 200A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRTA20060(A)D

Parte Stock: 1235

Configuración do diodo: 1 Pair Series Connection, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X030A080

Parte Stock: 4336

Configuración do diodo: 2 Independent, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 80V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 30A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 30A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT30010R

Parte Stock: 1141

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 300A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 150A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA40060R

Parte Stock: 949

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 200A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR40045CTR

Parte Stock: 1298

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 45V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 400A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 200A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT12040

Parte Stock: 1835

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 120A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 60A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR30040CTR

Parte Stock: 1426

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 300A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 150A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR30020CTR

Parte Stock: 1311

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 300A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT20010R

Parte Stock: 1196

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR500150CT

Parte Stock: 1181

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 250A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 250A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT120150R

Parte Stock: 1882

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 60A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 60A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT50045

Parte Stock: 1103

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 45V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 500A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 250A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT20030

Parte Stock: 1588

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR2X060A10

Parte Stock: 2905

Configuración do diodo: 2 Independent, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 60A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 60A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR20030CT

Parte Stock: 1543

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT40005R

Parte Stock: 1065

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 400A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 200A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST120150

Parte Stock: 1674

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 60A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 60A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT400150

Parte Stock: 1541

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 200A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT20060

Parte Stock: 1254

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT300150

Parte Stock: 1540

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 150A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 150A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT200100(A)

Parte Stock: 1517

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA500120

Parte Stock: 941

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 250A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6V @ 250A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT30040

Parte Stock: 1272

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 300A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 150A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR300150CT

Parte Stock: 1488

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 150A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 150A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT40060R

Parte Stock: 1085

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 400A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 200A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA500120R

Parte Stock: 984

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 250A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6V @ 250A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA300120R

Parte Stock: 986

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 150A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6V @ 150A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT20020

Parte Stock: 1623

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA30020

Parte Stock: 1027

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 150A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 150A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR2X030A12

Parte Stock: 4218

Configuración do diodo: 2 Independent, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 60A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 30A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT200120(A)

Parte Stock: 1484

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A180

Parte Stock: 3494

Configuración do diodo: 2 Independent, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 180V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 60A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 60A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA50060

Parte Stock: 997

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 500A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 250A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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