Diodos - Rectificadores - Matrices

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Diodos - Rectificadores - Matrices

GeneSiC Semiconductor

MUR10040CT

Parte Stock: 1546

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 100A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 50A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRTA20080(A)D

Parte Stock: 1282

Configuración do diodo: 1 Pair Series Connection, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR30020CT

Parte Stock: 1400

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 300A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 150A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT200200

Parte Stock: 1629

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 100A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR20005CTR

Parte Stock: 1240

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR600200CT

Parte Stock: 992

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 300A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 300A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR20035CT

Parte Stock: 1575

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 35V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT60045R

Parte Stock: 962

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 45V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 600A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT20045

Parte Stock: 1428

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 45V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT100160(A)D

Parte Stock: 1940

Configuración do diodo: 1 Pair Series Connection, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1600V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 100A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 100A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT12020R

Parte Stock: 1833

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 120A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 60A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X160A100

Parte Stock: 2757

Configuración do diodo: 2 Independent, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 160A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 160A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST120200

Parte Stock: 1639

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 60A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 60A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MSRTA300120(A)D

GeneSiC Semiconductor

MSRTA300120(A)D

Parte Stock: 1322

Configuración do diodo: 1 Pair Series Connection, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 300A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR10005CT

Parte Stock: 1579

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 100A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 50A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR20020CT

Parte Stock: 1243

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT200160(A)D

Parte Stock: 1391

Configuración do diodo: 1 Pair Series Connection, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1600V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A06

Parte Stock: 3294

Configuración do diodo: 2 Independent, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 100A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 100A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR200100CT

Parte Stock: 1490

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR12020CTR

Parte Stock: 1553

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 120A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 120A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR30030CT

Parte Stock: 1489

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 300A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 150A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A10

Parte Stock: 3311

Configuración do diodo: 2 Independent, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 100A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 100A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT12045

Parte Stock: 1864

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 45V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 120A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 60A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST16045

Parte Stock: 1496

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 45V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 160A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 160A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT500150R

Parte Stock: 1121

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 250A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 250A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR120200CTR

Parte Stock: 1494

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 60A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 60A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.

GeneSiC Semiconductor

MBR12020CT

Parte Stock: 1559

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 120A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 120A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRTA30080(A)D

Parte Stock: 1203

Configuración do diodo: 1 Pair Series Connection, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 300A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 300A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR20080CT

Parte Stock: 1491

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 80V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR60080CTR

Parte Stock: 823

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 80V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 300A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 300A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A150

Parte Stock: 3067

Configuración do diodo: 2 Independent, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 100A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT20060R

Parte Stock: 1259

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT150140(A)D

Parte Stock: 1854

Configuración do diodo: 1 Pair Series Connection, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1400V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 150A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 150A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR120100CTR

Parte Stock: 1583

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 120A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 60A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT15080(A)D

Parte Stock: 1929

Configuración do diodo: 1 Pair Series Connection, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 150A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 150A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA30060

Parte Stock: 946

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 150A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 150A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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