Diodos - Rectificadores - Matrices | Produtos de semicondutores discretos | 25

MBR2X060A120

Parte Stock: 3792

Configuración do diodo: 2 Independent, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 120V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 60A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 60A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST10040

Parte Stock: 1576

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 100A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA30020R

Parte Stock: 933

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 150A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 150A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST100150

Parte Stock: 1653

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 50A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 50A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR60020CT

Parte Stock: 970

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 300A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT40030

Parte Stock: 1396

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 400A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 200A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR30045CT

Parte Stock: 1411

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 45V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 300A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 150A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR20040CT

Parte Stock: 1223

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 50A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT50020

Parte Stock: 1075

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 500A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 250A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR2X120A04

Parte Stock: 3090

Configuración do diodo: 2 Independent, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 120A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 120A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR40020CTR

Parte Stock: 1219

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 400A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 125A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT100120(A)D

Parte Stock: 1932

Configuración do diodo: 1 Pair Series Connection, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 100A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 100A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT300200

Parte Stock: 1527

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 150A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 150A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A100

Parte Stock: 3980

Configuración do diodo: 2 Independent, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 60A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 60A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR50060CTR

Parte Stock: 1169

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Reverse Polarity, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 500A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 250A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT20080(A)D

Parte Stock: 1406

Configuración do diodo: 1 Pair Series Connection, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT30005R

Parte Stock: 1110

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 300A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 150A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST10080

Parte Stock: 1594

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 80V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 100A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR20030CTR

Parte Stock: 1551

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR60030CTR

Parte Stock: 939

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 300A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT500200

Parte Stock: 1086

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 250A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 250A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST16040

Parte Stock: 1522

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 160A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 160A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR30060CT

Parte Stock: 1418

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 300A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 150A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR400200CTR

Parte Stock: 1590

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 200A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT12035R

Parte Stock: 1858

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 35V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 120A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 60A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.

GeneSiC Semiconductor

MBRT400200R

Parte Stock: 3118

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 200A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT30045R

Parte Stock: 1299

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 45V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 300A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 150A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR30010CT

Parte Stock: 1376

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 300A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT200100

Parte Stock: 1466

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR40030CTR

Parte Stock: 1565

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 400A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 200A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR12035CTR

Parte Stock: 1550

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 35V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 120A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 120A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR10060CTR

Parte Stock: 1583

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 100A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 50A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR40030CT

Parte Stock: 1519

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 400A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 200A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR12040CT

Parte Stock: 1537

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 120A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 120A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT12080

Parte Stock: 1821

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 80V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 120A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 60A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT20080R

Parte Stock: 1417

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 80V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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