Diodos - Rectificadores - Matrices | Produtos de semicondutores discretos | 25

MBR20040CTR

Parte Stock: 1522

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT600100

Parte Stock: 943

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 600A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 300A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT500150

Parte Stock: 1136

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 250A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 250A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR60045CTR

Parte Stock: 809

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 45V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 300A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A150

Parte Stock: 3665

Configuración do diodo: 2 Independent, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 60A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 60A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR50035CTR

Parte Stock: 1190

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 35V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 500A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 250A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA20060

Parte Stock: 945

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 100A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 100A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X120A180

Parte Stock: 3068

Configuración do diodo: 2 Independent, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 180V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 120A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 120A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A120

Parte Stock: 3870

Configuración do diodo: 2 Independent, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 120V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 80A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 80A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR20060CTR

Parte Stock: 1240

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 50A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A080

Parte Stock: 3284

Configuración do diodo: 2 Independent, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 80V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 100A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A080

Parte Stock: 4139

Configuración do diodo: 2 Independent, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 80V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 80A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 80A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A060

Parte Stock: 3894

Configuración do diodo: 2 Independent, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 50A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 50A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT120150

Parte Stock: 1838

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 60A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 60A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT20060R

Parte Stock: 1368

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT30060R

Parte Stock: 1244

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 300A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 150A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR12080CTR

Parte Stock: 1544

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 80V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 120A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 60A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST16060

Parte Stock: 1480

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 160A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 160A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA60060

Parte Stock: 1000

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 600A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 300A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT30020

Parte Stock: 1086

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 300A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 150A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MSRT10080(A)D

Parte Stock: 1907

Configuración do diodo: 1 Pair Series Connection, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 100A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 100A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR120200CT

Parte Stock: 1554

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 60A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 60A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT60040

Parte Stock: 956

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 600A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 300A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR12040CTR

Parte Stock: 1504

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 120A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 120A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT12060R

Parte Stock: 1881

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 120A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 60A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT40060R

Parte Stock: 1366

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 400A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 200A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR40045CT

Parte Stock: 1238

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 45V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 400A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 200A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR50080CT

Parte Stock: 1182

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 80V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 500A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 250A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURT30060R

Parte Stock: 1172

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 300A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 150A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FST10045

Parte Stock: 1532

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 45V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 100A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRT40035

Parte Stock: 1119

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 35V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 400A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 200A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR20020CTR

Parte Stock: 1203

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MUR2X060A12

Parte Stock: 2901

Configuración do diodo: 2 Independent, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 60A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.35V @ 60A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURTA400120R

Parte Stock: 958

Configuración do diodo: 1 Pair Common Anode, Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1200V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6V @ 200A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR20040CT

Parte Stock: 1562

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 200A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 100A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR30040CT

Parte Stock: 1442

Configuración do diodo: 1 Pair Common Cathode, Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io) (por diodo): 300A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 150A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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