Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | Produtos de semicondutores discretos | 100

SI6969DQ-T1-E3

Parte Stock: 2898

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

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Vishay Siliconix

SI4561DY-T1-GE3

Parte Stock: 2816

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.8A, 7.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI1917EDH-T1-E3

Parte Stock: 2713

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 370 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 100µA (Min),

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Vishay Siliconix

SI4830ADY-T1-E3

Parte Stock: 2782

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SIZ910DT-T1-GE3

Parte Stock: 77131

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 40A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4804BDY-T1-GE3

Parte Stock: 2795

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI5511DC-T1-E3

Parte Stock: 2730

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A, 3.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI9926BDY-T1-GE3

Parte Stock: 2824

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI5999EDU-T1-GE3

Parte Stock: 128567

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SIA911EDJ-T1-GE3

Parte Stock: 2796

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 101 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI7940DP-T1-E3

Parte Stock: 2854

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI1972DH-T1-GE3

Parte Stock: 2790

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 1.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4966DY-T1-E3

Parte Stock: 85796

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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Vishay Siliconix

SI4910DY-T1-GE3

Parte Stock: 2838

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

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ON Semiconductor

FDM3300NZ

Parte Stock: 2686

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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ON Semiconductor

FDC6000NZ_F077

Parte Stock: 2747

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

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ON Semiconductor

ECH8602M-TL-H

Parte Stock: 2823

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 3A, 4.5V,

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ON Semiconductor

EMH2409-TL-H

Parte Stock: 2859

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 2A, 10V,

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ON Semiconductor

NTND31015NZTAG

Parte Stock: 120579

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 200mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

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ON Semiconductor

NDS9958

Parte Stock: 2715

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

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ON Semiconductor

EMH2308-TL-H

Parte Stock: 186625

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3A, 4.5V,

Á lista de desexos

IXYS

GWM70-01P2

Parte Stock: 2692

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 70A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

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IXYS

GWM100-01X1-SMD

Parte Stock: 2825

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 90A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 80A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IPG20N06S3L-35

Parte Stock: 2854

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

IRF7389

Parte Stock: 2690

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

IRF9910TR

Parte Stock: 3299

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A, 12A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.55V @ 250µA,

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Infineon Technologies

IRF7343PBF

Parte Stock: 75494

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.7A, 3.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

IRF9952QTRPBF

Parte Stock: 2747

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, 2.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

IRF7309QTRPBF

Parte Stock: 2755

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A, 3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

IRFI4024H-117P

Parte Stock: 2824

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 7.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA,

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Trinamic Motion Control GmbH

TMC1420-LA

Parte Stock: 2918

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8.8A, 7.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 26.5 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Á lista de desexos

Diodes Incorporated

DMC3018LSD-13

Parte Stock: 2789

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9.1A, 6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Á lista de desexos

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8207(TE12L)

Parte Stock: 2650

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4.8A, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA,

Á lista de desexos

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8402(TE85L,F,M

Parte Stock: 2735

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A, 3.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

Á lista de desexos

Texas Instruments

CSD75204W15

Parte Stock: 2796

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3A, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

Á lista de desexos

Rohm Semiconductor

SP8M3TB

Parte Stock: 2700

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A, 4.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

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