Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

STS9D8NH3LL

Parte Stock: 104832

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, 9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

STS4C3F60L

Parte Stock: 2668

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A, 3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

STC6NF30V

Parte Stock: 2911

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA,

NTLJD3181PZTAG

Parte Stock: 2807

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

FDY4000CZ

Parte Stock: 130404

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 600mA, 350mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDG6318P

Parte Stock: 123017

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 500mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 780 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

ECH8667-TL-HX

Parte Stock: 2888

EFC4618R-P-TR

Parte Stock: 2908

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

ECH8653-S-TL-H

Parte Stock: 2924

MCH6603-TL-H

Parte Stock: 2889

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 140mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

FDMS9620S

Parte Stock: 127765

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.5A, 10A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 21.5 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

EMH2417R-TL-H

Parte Stock: 156902

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA,

FDW2511NZ

Parte Stock: 2697

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.1A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

NDS9947

Parte Stock: 2668

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

TPCP8401(TE85L,F)

Parte Stock: 3345

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA, 5.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA,

GWM220-004P3-SL

Parte Stock: 2796

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 180A, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

SI6933DQ-T1-E3

Parte Stock: 2879

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

SI4310BDY-T1-E3

Parte Stock: 2851

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.5A, 9.8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

SI6544BDQ-T1-GE3

Parte Stock: 2882

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.7A, 3.8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 3.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

SI4965DY-T1-E3

Parte Stock: 2893

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 8V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

SI4941EDY-T1-E3

Parte Stock: 2795

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA,

SI7904DN-T1-GE3

Parte Stock: 2820

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 935µA,

SI4942DY-T1-GE3

Parte Stock: 2829

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 7.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

SI4622DY-T1-E3

Parte Stock: 2830

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 9.6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

SI5915BDC-T1-E3

Parte Stock: 2830

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 8V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF9953TR

Parte Stock: 2719

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF7313PBF

Parte Stock: 69767

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF5850TR

Parte Stock: 2705

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

IRF7752GTRPBF

Parte Stock: 2826

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

IRF7503TRPBF

Parte Stock: 185602

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

IRF7756

Parte Stock: 2661

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

DMN5L06VA-7

Parte Stock: 2754

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 280mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 200mA, 2.7V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

DMN5L06DW-7

Parte Stock: 3271

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 280mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 200mA, 2.7V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

PMWD15UN,518

Parte Stock: 2710

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA,

XP0487800L

Parte Stock: 3315

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA,

UP0487800L

Parte Stock: 2703

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA,