Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices

IRF5850TRPBF

Parte Stock: 2861

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

IRF7752TR

Parte Stock: 2727

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

IRF7910PBF

Parte Stock: 2677

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

NDS9955

Parte Stock: 2650

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

NTJD4401NT4

Parte Stock: 3343

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 630mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDW2521C

Parte Stock: 2698

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.5A, 3.8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDQ7698S

Parte Stock: 2709

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12A, 15A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

ECH8653-TL-H

Parte Stock: 2909

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4A, 8V,

EFC6611R-A-TF

Parte Stock: 143033

HUFA76407DK8T

Parte Stock: 2694

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

ECH8697R-TL-W

Parte Stock: 174631

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 24V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 11.6 mOhm @ 5A, 4.5V,

ECH8651R-TL-H

Parte Stock: 196025

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 24V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 5A, 4.5V,

FDS4895C

Parte Stock: 2830

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.5A, 4.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 5.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA,

ECH8651R-TL-HX

Parte Stock: 2884

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 24V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 5A, 4.5V,

NTLJD3181PZTBG

Parte Stock: 2812

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

NTMD6N02R2

Parte Stock: 2688

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.92A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

FDMJ1028N

Parte Stock: 2696

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

FDS6994S

Parte Stock: 3320

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.9A, 8.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

SI1912EDH-T1-E3

Parte Stock: 2739

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.13A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 100µA (Min),

SI1563DH-T1-E3

Parte Stock: 3284

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.13A, 880mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 280 mOhm @ 1.13A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA,

SI4834CDY-T1-GE3

Parte Stock: 135475

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA,

SI6943BDQ-T1-E3

Parte Stock: 2779

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA,

SI7960DP-T1-GE3

Parte Stock: 2812

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 9.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

SI7222DN-T1-E3

Parte Stock: 2764

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA,

SI1553DL-T1

Parte Stock: 2791

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 660mA, 410mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 660mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min),

IXTL2X180N10T

Parte Stock: 8037

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.4 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA,

FMM150-0075P

Parte Stock: 2781

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 150A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 120A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

GWM120-0075X1-SMD

Parte Stock: 2800

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 110A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

GWM160-0055X1-SMDSAM

Parte Stock: 2777

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 150A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 100A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA,

TMC1620-TO

Parte Stock: 2933

Tipo FET: N and P-Channel, Common Drain, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.6A, 4.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

SP8M5TB

Parte Stock: 2649

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, 7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

SP8M10FU6TB

Parte Stock: 2786

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7A, 4.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

STS1DNF20

Parte Stock: 3271

PMDPB65UP,115

Parte Stock: 2646

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

DMC3035LSD-13

Parte Stock: 2777

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.9A, 5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

DMP2100UCB9-7

Parte Stock: 181216

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual) Common Source, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,