Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | Produtos de semicondutores discretos | 100

CMLDM3737 TR

Parte Stock: 117843

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 540mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos

Central Semiconductor Corp

CMLDM7585 TR

Parte Stock: 161601

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 650mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

Á lista de desexos

Central Semiconductor Corp

CMXDM7002A TR

Parte Stock: 126593

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 280mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

Diodes Incorporated

DMC2450UV-13

Parte Stock: 171377

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.03A, 700mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

Á lista de desexos

Diodes Incorporated

DMTH6010LPDQ-13

Parte Stock: 125205

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Á lista de desexos

Diodes Incorporated

DMP2066LSD-13

Parte Stock: 103006

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.8A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Á lista de desexos

Diodes Incorporated

DMP2004DWK-7

Parte Stock: 187523

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 430mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

NVJD4401NT1G

Parte Stock: 192220

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 630mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

NVMFD5877NLT1G

Parte Stock: 171488

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

NTZD5110NT5G

Parte Stock: 3000

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 294mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

FDR8702H

Parte Stock: 3117

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.6A, 2.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

NTLLD4901NFTWG

Parte Stock: 132118

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.5A, 6.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 17.4 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

FDC6333C

Parte Stock: 131502

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.5A, 2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

FDMA3023PZ

Parte Stock: 148246

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

FDZ1323NZ

Parte Stock: 166913

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

NTMFD4C20NT1G

Parte Stock: 166740

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9.1A, 13.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.3 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

FDPC5018SG

Parte Stock: 62456

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 17A, 32A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Á lista de desexos

NXP USA Inc.

SI9936DY,518

Parte Stock: 3387

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos

Cree/Wolfspeed

CAS300M17BM2

Parte Stock: 115

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Silicon Carbide (SiC), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1700V (1.7kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 325A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 225A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15mA (Typ),

Á lista de desexos

Rohm Semiconductor

UT6JA2TCR

Parte Stock: 157843

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Á lista de desexos

Rohm Semiconductor

SH8J65TB1

Parte Stock: 100136

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Á lista de desexos

Rohm Semiconductor

UM6K33NTN

Parte Stock: 191317

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 200mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

Á lista de desexos

Sanken

SMA5117

Parte Stock: 6110

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 250V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

Á lista de desexos

Sanken

SLA5068-LF830

Parte Stock: 11177

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Á lista de desexos

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4946DCS RLG

Parte Stock: 16502

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.5A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Á lista de desexos

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P35FE,LM

Parte Stock: 173905

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

Á lista de desexos

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P15FE(TE85L,F)

Parte Stock: 13232

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA,

Á lista de desexos

STMicroelectronics

STS4DNF60L

Parte Stock: 93425

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

Micro Commercial Co

MCCD2007-TP

Parte Stock: 117884

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos

Vishay Siliconix

SI4618DY-T1-E3

Parte Stock: 113583

Tipo FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8A, 15.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Á lista de desexos

Vishay Siliconix

SI7901EDN-T1-E3

Parte Stock: 3002

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 6.3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 800µA,

Á lista de desexos

Texas Instruments

CSD75301W1015

Parte Stock: 2951

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

IRF7380TRPBF

Parte Stock: 159831

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 80V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 73 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

IRF9956PBF

Parte Stock: 2963

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

DF23MR12W1M1B11BOMA1

Parte Stock: 3162

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Silicon Carbide (SiC), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V (1.2kV), Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 25A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 25A, 15V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 10mA,

Á lista de desexos

IXYS

FMM22-06PF

Parte Stock: 4230

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 12A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

Á lista de desexos