Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | Produtos de semicondutores discretos | 100

SI7940DP-T1-GE3

Parte Stock: 2920

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

Vishay Siliconix

SI4936ADY-T1-E3

Parte Stock: 77138

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Á lista de desexos

Vishay Siliconix

SI5933CDC-T1-GE3

Parte Stock: 181122

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 144 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos

Vishay Siliconix

SI7223DN-T1-GE3

Parte Stock: 9952

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 26.4 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

Vishay Siliconix

SI9933CDY-T1-E3

Parte Stock: 154905

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

NTMD6N04R2G

Parte Stock: 3054

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

NVMFD5877NLWFT3G

Parte Stock: 181356

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

FDMQ8403

Parte Stock: 56113

Tipo FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.1A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

FDS6892A

Parte Stock: 168833

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

NTZD3152PT1G

Parte Stock: 122573

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 430mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

FDG6317NZ

Parte Stock: 187420

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 700mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 700mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

NTMD4820NR2G

Parte Stock: 199876

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.9A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

EMH2411R-TL-H

Parte Stock: 3004

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 36.5 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

FDS6930A

Parte Stock: 116150

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 5.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

NTLTD7900ZR2G

Parte Stock: 2926

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

FDS8984-F085

Parte Stock: 10834

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

IRF9952TRPBF

Parte Stock: 110076

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.5A, 2.3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

IRFI4019H-117P

Parte Stock: 26279

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 150V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 8.7A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 5.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA,

Á lista de desexos

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N815R,LF

Parte Stock: 9939

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 103 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA,

Á lista de desexos

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L35FE,LM

Parte Stock: 172252

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 180mA, 100mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

Á lista de desexos

Diodes Incorporated

DMN61D9UDW-13

Parte Stock: 150473

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 350mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos

Diodes Incorporated

DMN67D8LDW-7

Parte Stock: 115475

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 230mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

Diodes Incorporated

DMN3055LFDB-7

Parte Stock: 130565

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Standard, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

Diodes Incorporated

DMC3025LSD-13

Parte Stock: 117443

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 6.5A, 4.2A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Á lista de desexos

Diodes Incorporated

DMN2019UTS-13

Parte Stock: 148284

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5.4A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA,

Á lista de desexos

Diodes Incorporated

DMN63D8LDW-13

Parte Stock: 103397

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 220mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

Diodes Incorporated

DMC2450UV-7

Parte Stock: 102178

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.03A, 700mA, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 480 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

Á lista de desexos

Diodes Incorporated

DMG6601LVT-7

Parte Stock: 130944

Tipo FET: N and P-Channel, Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3.8A, 2.5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

Sanken

SLA5201

Parte Stock: 6190

Tipo FET: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 7A,

Á lista de desexos

Sanken

SLA5075

Parte Stock: 7543

Tipo FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 5A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

Á lista de desexos

Rohm Semiconductor

UT6J3TCR

Parte Stock: 114339

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 3A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

Á lista de desexos

Micro Commercial Co

MCCD2004-TP

Parte Stock: 153498

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos

Renesas Electronics America Inc.

GWS4621L

Parte Stock: 3027

Tipo FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10.1A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 9.8 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA,

Á lista de desexos

Central Semiconductor Corp

CTLDM8120-M832DS BK

Parte Stock: 3301

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 860mA (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 950mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Á lista de desexos

Texas Instruments

TPS1120DG4

Parte Stock: 42271

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Logic Level Gate, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 15V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.17A, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Á lista de desexos

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4953DCS RLG

Parte Stock: 10756

Tipo FET: 2 P-Channel (Dual), Función FET: Standard, Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 4.9A (Ta), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Á lista de desexos