Transistores: FETs, MOSFETs: sinxelos

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Transistores: FETs, MOSFETs: sinxelos

BTS247ZE3043AKSA1

Infineon Technologies

BTS247ZE3043AKSA1

Parte Stock: 153

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 33A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 12A, 10V,

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Infineon Technologies

BTS247ZAKSA1

Parte Stock: 141

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 33A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 12A, 10V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BTS244Z E3043

Parte Stock: 84

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 35A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 19A, 10V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BTS244Z E3062A

Parte Stock: 149

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 35A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 19A, 10V,

Á lista de desexos

BTS113AE3064NKSA1

Infineon Technologies

BTS113AE3064NKSA1

Parte Stock: 94

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11.5A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 5.8A, 4.5V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BTS244ZNKSA1

Parte Stock: 175

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 35A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 19A, 10V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BTS113ANKSA1

Parte Stock: 176

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11.5A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 5.8A, 4.5V,

Á lista de desexos

BTS113AE3045ANTMA1

Infineon Technologies

BTS113AE3045ANTMA1

Parte Stock: 161

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 11.5A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 5.8A, 4.5V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BTS110NKSA1

Parte Stock: 140

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 5A, 10V,

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BTS110E3045ANTMA1

Infineon Technologies

BTS110E3045ANTMA1

Parte Stock: 180

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A (Tc), RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 5A, 10V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSS87 E6433

Parte Stock: 144

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 240V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 260mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 260mA, 10V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSS84P E6433

Parte Stock: 174

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 170mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 170mA, 10V,

Á lista de desexos

BSS225L6327HTSA1

Infineon Technologies

BSS225L6327HTSA1

Parte Stock: 6048

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 90mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 90mA, 10V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSS225

Parte Stock: 103

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 90mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 90mA, 10V,

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Infineon Technologies

BSS169 E6906

Parte Stock: 94

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 170mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSS169 E6327

Parte Stock: 6104

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 170mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSS159N E6906

Parte Stock: 129

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 230mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSS159N E6327

Parte Stock: 170

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 230mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSS139 E6906

Parte Stock: 116

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 250V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 0.1mA, 10V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSS139 E6327

Parte Stock: 166

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 250V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 0.1mA, 10V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSS138W E6433

Parte Stock: 159

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 280mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSS138N E8004

Parte Stock: 164

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 230mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSS138N E7854

Parte Stock: 6034

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 230mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSS138N E6908

Parte Stock: 6083

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 230mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSS138N E6433

Parte Stock: 174

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 230mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSS127 E6327

Parte Stock: 172

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 21mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSS126 E6906

Parte Stock: 106

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 21mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSS126 E6327

Parte Stock: 152

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 21mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSS123L7874XT

Parte Stock: 161

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 170mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSS119 E7978

Parte Stock: 169

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 170mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSS123 E6433

Parte Stock: 169

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 170mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSS119 E7796

Parte Stock: 122

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 170mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSS119 E6433

Parte Stock: 145

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 170mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSP92P E6327

Parte Stock: 140

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 250V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 260mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.8V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 260mA, 10V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSP615S2L

Parte Stock: 129

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.8A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 1.4A, 10V,

Á lista de desexos

Infineon Technologies

BSP613P

Parte Stock: 153

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.9A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 2.9A, 10V,

Á lista de desexos

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