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RFQS / Order.
0RFQS / Order.

Transistores: FETs, MOSFETs: sinxelos

BS170ZL1G
ON Semiconductor

BS170ZL1G

Parte Stock: 864

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 500mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Á lista de desexos
BS170RLRMG
ON Semiconductor

BS170RLRMG

Parte Stock: 846

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 500mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Á lista de desexos
BUK9E04-40A,127
Nexperia USA Inc.

BUK9E04-40A,127

Parte Stock: 80909

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.3V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

Á lista de desexos
BUK7610-100B,118
Nexperia USA Inc.

BUK7610-100B,118

Parte Stock: 61580

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

Á lista de desexos
BUK7611-55A,118
Nexperia USA Inc.

BUK7611-55A,118

Parte Stock: 106351

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 25A, 10V,

Á lista de desexos
BUK7620-100A,118
Nexperia USA Inc.

BUK7620-100A,118

Parte Stock: 81957

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 63A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 25A, 10V,

Á lista de desexos
BUK9620-55A,118
Nexperia USA Inc.

BUK9620-55A,118

Parte Stock: 145622

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 54A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 25A, 10V,

Á lista de desexos
BUK764R0-55B,118
Nexperia USA Inc.

BUK764R0-55B,118

Parte Stock: 61594

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 25A, 10V,

Á lista de desexos
BUK664R4-55C,118
Nexperia USA Inc.

BUK664R4-55C,118

Parte Stock: 42132

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 25A, 10V,

Á lista de desexos
BSS7728NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS7728NL6327HTSA1

Parte Stock: 6115

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 200mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Á lista de desexos
BSS84PL6433HTMA1
Infineon Technologies

BSS84PL6433HTMA1

Parte Stock: 768

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 170mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 170mA, 10V,

Á lista de desexos
BSS670S2LL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS670S2LL6327HTSA1

Parte Stock: 5631

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 540mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 270mA, 10V,

Á lista de desexos
BSS308PEL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS308PEL6327HTSA1

Parte Stock: 747

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V,

Á lista de desexos
BSS316NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS316NL6327HTSA1

Parte Stock: 804

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.4A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.4A, 10V,

Á lista de desexos
BSS214NW L6327
Infineon Technologies

BSS214NW L6327

Parte Stock: 6119

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Á lista de desexos
BSS306NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS306NL6327HTSA1

Parte Stock: 6076

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 2.3A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 10V,

Á lista de desexos
BSS214NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS214NL6327HTSA1

Parte Stock: 803

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1.5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Á lista de desexos
BSS209PW L6327
Infineon Technologies

BSS209PW L6327

Parte Stock: 817

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 580mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.5V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 580mA, 4.5V,

Á lista de desexos
BSS169L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS169L6327HTSA1

Parte Stock: 722

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 170mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Á lista de desexos
BSS159NL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS159NL6327HTSA1

Parte Stock: 719

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 230mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V,

Á lista de desexos
BSS139L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS139L6327HTSA1

Parte Stock: 783

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 250V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 0.1mA, 10V,

Á lista de desexos
BSS139L6906HTSA1
Infineon Technologies

BSS139L6906HTSA1

Parte Stock: 765

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 250V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 0.1mA, 10V,

Á lista de desexos
BSS138W L6327
Infineon Technologies

BSS138W L6327

Parte Stock: 784

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 280mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Á lista de desexos
BSS138W L6433
Infineon Technologies

BSS138W L6433

Parte Stock: 726

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 280mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Á lista de desexos
BSS127L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS127L6327HTSA1

Parte Stock: 810

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 21mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Á lista de desexos
BSS138NL6433HTMA1
Infineon Technologies

BSS138NL6433HTMA1

Parte Stock: 726

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 230mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

Á lista de desexos
BSS126L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS126L6327HTSA1

Parte Stock: 754

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 21mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Á lista de desexos
BSS126L6906HTSA1
Infineon Technologies

BSS126L6906HTSA1

Parte Stock: 769

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 21mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 0V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Á lista de desexos
BSR92PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSR92PL6327HTSA1

Parte Stock: 734

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 250V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 140mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.8V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 11 Ohm @ 140mA, 10V,

Á lista de desexos
BSS119L6327HTSA1
Infineon Technologies

BSS119L6327HTSA1

Parte Stock: 792

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 170mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Á lista de desexos
BSR316PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSR316PL6327HTSA1

Parte Stock: 775

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 360mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 360mA, 10V,

Á lista de desexos
BSP322PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP322PL6327HTSA1

Parte Stock: 811

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 1A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 1A, 10V,

Á lista de desexos
BSP321PL6327HTSA1
Infineon Technologies

BSP321PL6327HTSA1

Parte Stock: 714

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 980mA (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 980mA, 10V,

Á lista de desexos
BSF045N03MQ3 G
Infineon Technologies

BSF045N03MQ3 G

Parte Stock: 777

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 18A (Ta), 63A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 10V,

Á lista de desexos
BSC152N10NSFGATMA1
Infineon Technologies

BSC152N10NSFGATMA1

Parte Stock: 801

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 9.4A (Ta), 63A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 15.2 mOhm @ 25A, 10V,

Á lista de desexos
BSP89H6327XTSA1
Infineon Technologies

BSP89H6327XTSA1

Parte Stock: 183471

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 240V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 350mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 350mA, 10V,

Á lista de desexos