Transistores: FETs, MOSFETs: sinxelos | Produtos de semicondutores discretos | 100

APT50M65B2LLG

Parte Stock: 2536

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 67A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 33.5A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APT10M11JVRU3

Parte Stock: 2147

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 142A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 71A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APT47N65SCS3G

Parte Stock: 5020

Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APT19F100J

Parte Stock: 2398

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1000V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 440 mOhm @ 16A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APT36N90BC3G

Parte Stock: 3057

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 900V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 36A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 18A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM100UM45DAG

Parte Stock: 299

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1000V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 215A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 107.5A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APT58M80J

Parte Stock: 1403

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 800V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 60W (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 43A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTM50UM09FAG

Parte Stock: 235

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 497A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 248.5A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APT17F80B

Parte Stock: 8963

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 800V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 18A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 580 mOhm @ 9A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APT19M120J

Parte Stock: 2115

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1200V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 19A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 14A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APT8024B2LLG

Parte Stock: 2613

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 800V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 31A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 15.5A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT10021JFLL

Parte Stock: 982

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1000V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 37A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 18.5A, 10V,

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Microsemi Corporation

APT60M75JFLL

Parte Stock: 1451

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 58A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 29A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APT47M60J

Parte Stock: 2126

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 49A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 33A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APT18F60B

Parte Stock: 13466

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 19A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 390 mOhm @ 9A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APT30F60J

Parte Stock: 2541

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 31A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 21A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APT21M100J

Parte Stock: 2378

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1000V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 21A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 16A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APT10045JLL

Parte Stock: 1867

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1000V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 21A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 11.5A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APTML100U60R020T1AG

Parte Stock: 715

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1000V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 20A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 720 mOhm @ 10A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APT80F60J

Parte Stock: 1315

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 84A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 60A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APT77N60BC6

Parte Stock: 4704

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 77A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 41 mOhm @ 44.4A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APT6017LFLLG

Parte Stock: 3368

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 35A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 17.5A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APT94N60L2C3G

Parte Stock: 2612

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 94A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 60A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APT75M50L

Parte Stock: 4263

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 500V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 37A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APT34M60B

Parte Stock: 5983

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 600V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 36A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 17A, 10V,

Á lista de desexos

Microsemi Corporation

APT10035JLL

Parte Stock: 1793

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 1000V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 25A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 14A, 10V,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

ATP102-TL-H

Parte Stock: 47

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 40A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 20A, 10V,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

ATP103-TL-H

Parte Stock: 140

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 55A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 28A, 10V,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

ATP112-TL-H

Parte Stock: 111092

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 25A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 13A, 10V,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

ATP202-TL-H

Parte Stock: 162739

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 50A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 25A, 10V,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

ATP108-TL-H

Parte Stock: 109673

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 70A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 10.4 mOhm @ 35A, 10V,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

ATP104-TL-H

Parte Stock: 140

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 38A, 10V,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

ATP304-TL-H

Parte Stock: 47364

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 50A, 10V,

Á lista de desexos

ON Semiconductor

ATP106-TL-H

Parte Stock: 115915

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 30A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 15A, 10V,

Á lista de desexos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT430

Parte Stock: 51633

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 80A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 11.5 mOhm @ 30A, 10V,

Á lista de desexos

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOSP32314

Parte Stock: 171

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 14.5A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 14.5A, 10V,

Á lista de desexos