Transistores: FETs, MOSFETs: sinxelos

5HN01C-TB-H

Parte Stock: 147399

5HN01C-TB-E

Parte Stock: 176441

5LN01SP-AC

Parte Stock: 6260

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01C-TB-E

Parte Stock: 128226

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LP01M-TL-HX

Parte Stock: 1826

5LP01SP

Parte Stock: 1894

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 70mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01M-TL-E

Parte Stock: 6268

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 70mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LN01SP

Parte Stock: 1839

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01M-TL-E

Parte Stock: 1842

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LP01SS-TL-H

Parte Stock: 6223

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 70mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01SS-TL-E

Parte Stock: 1441

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 70mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01S-TL-E

Parte Stock: 1507

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 70mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01C-TB-H

Parte Stock: 174960

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 70mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LP01C-TB-E

Parte Stock: 128915

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 70mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5LN01SS-TL-H

Parte Stock: 1448

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01C-TB-H

Parte Stock: 6222

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01S-TL-E

Parte Stock: 1469

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LN01SS-TL-E

Parte Stock: 109264

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 100mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7.8 Ohm @ 50mA, 4V,

5LP01M-TL-H

Parte Stock: 185339

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 70mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

5X49_BG7002B

Parte Stock: 646

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 100V,

5LP01SP-AC

Parte Stock: 9476

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 50V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 70mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.5V, 4V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

6HP04MH-TL-W

Parte Stock: 133677

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 370mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.2 Ohm @ 190mA, 10V,

6HP04CH-TL-W

Parte Stock: 133287

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 370mA (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.2 Ohm @ 190mA, 10V,

62-0136PBF

Parte Stock: 2160

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 30V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 19A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 19A, 10V,

62-0095PBF

Parte Stock: 2163

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 10A (Ta), 12A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 13.4 mOhm @ 10A, 10V,

64-9149PBF

Parte Stock: 2109

64-9150PBF

Parte Stock: 2108

64-4123PBF

Parte Stock: 1999

62-0203PBF

Parte Stock: 995

Tipo FET: P-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 16A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 1.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 16A, 4.5V,

64-2096PBF

Parte Stock: 616

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 75V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 160A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 110A, 10V,

64-2105PBF

Parte Stock: 597

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 40V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 75A, 10V,

64-4092PBF

Parte Stock: 9616

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 28A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 17A, 10V,

64-2092PBF

Parte Stock: 9592

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 55V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 75A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 66A, 10V,

62-0063PBF

Parte Stock: 9577

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 12V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 15A (Ta), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 2.8V, 4.5V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 15A, 4.5V,

64-0055PBF

Parte Stock: 9517

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 60V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 160A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 75A, 10V,

64-9146

Parte Stock: 9510

Tipo FET: N-Channel, Tecnoloxía: MOSFET (Metal Oxide), Tensión de drenaxe a fonte (Vdss): 20V, Actual - Desaugadoiro continuo (Id) a 25 ° C: 32A (Ta), 180A (Tc), Tensión de impulsión (Rds máx. Activada, Rds mínima activada): 4.5V, 10V, RDS activado (máximo) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 15A, 10V,