Diodos - Rectificadores - Sinxelos | Produtos de semicondutores discretos | 100

BYG24G-M3/TR

Parte Stock: 160213

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 140ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-E3/TR

Parte Stock: 141773

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 25ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24D-M3/TR3

Parte Stock: 131968

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 140ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-E3/TR3

Parte Stock: 182415

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-M3/TR3

Parte Stock: 178714

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-E3/TR3

Parte Stock: 104636

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 25ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHE3_A/H

Parte Stock: 136458

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 140ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHM3_A/H

Parte Stock: 128490

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23T-M3/TR3

Parte Stock: 129800

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1300V, Actual - Media rectificada (Io): 1A (DC), Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHE3_A/I

Parte Stock: 120649

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHM3_A/I

Parte Stock: 155324

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHM3_A/I

Parte Stock: 188118

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22BHE3_A/H

Parte Stock: 135545

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 25ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-M3/TR

Parte Stock: 137182

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHE3_A/H

Parte Stock: 196477

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-M3/TR

Parte Stock: 116559

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHE3_A/H

Parte Stock: 167113

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHE3_A/I

Parte Stock: 151425

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-M3/TR3

Parte Stock: 167334

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-M3/TR3

Parte Stock: 177836

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-E3/TR

Parte Stock: 116100

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22A-M3/TR

Parte Stock: 126510

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 25ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHM3_A/H

Parte Stock: 113240

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-E3/TR3

Parte Stock: 197556

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHM3_A/I

Parte Stock: 112695

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHM3_A/H

Parte Stock: 164441

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-M3/TR

Parte Stock: 174425

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-M3/TR3

Parte Stock: 199071

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23M-M3/TR3

Parte Stock: 120482

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24JHM3_A/H

Parte Stock: 162395

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 140ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-E3/TR3

Parte Stock: 109092

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 140ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21K-M3/TR

Parte Stock: 111717

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 120ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20J-M3/TR3

Parte Stock: 162156

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHM3_A/I

Parte Stock: 131985

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-M3/TR

Parte Stock: 142403

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 140ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHE3_A/I

Parte Stock: 178334

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

Wishlist.