Diodos - Rectificadores - Sinxelos

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Diodos - Rectificadores - Sinxelos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10M-M3/TR

Parte Stock: 183725

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20JHE3_A/I

Parte Stock: 115069

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-E3/TR3

Parte Stock: 197411

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22AHM3_A/H

Parte Stock: 133472

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22AHE3_A/I

Parte Stock: 189054

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22AHE3_A/H

Parte Stock: 154231

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHM3_A/H

Parte Stock: 129432

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20JHM3_A/I

Parte Stock: 181553

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHE3_A/H

Parte Stock: 177768

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24DHM3_A/I

Parte Stock: 144093

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-E3/TR3

Parte Stock: 138230

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24J-M3/TR3

Parte Stock: 163164

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20G-E3/TR3

Parte Stock: 107656

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21MHE3_A/H

Parte Stock: 135582

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22DHM3_A/H

Parte Stock: 187643

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHE3_A/I

Parte Stock: 141453

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10JHM3_A/H

Parte Stock: 151105

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24DHE3_A/I

Parte Stock: 110757

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHM3_A/I

Parte Stock: 163338

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21KHM3_A/H

Parte Stock: 160116

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-M3/TR3

Parte Stock: 174275

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22BHE3_A/I

Parte Stock: 159460

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHE3_A/I

Parte Stock: 116335

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21KHE3_A/H

Parte Stock: 199885

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHM3_A/H

Parte Stock: 187956

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22B-M3/TR

Parte Stock: 199372

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHE3_A/I

Parte Stock: 176378

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20JHM3_A/H

Parte Stock: 183930

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24D-M3/TR

Parte Stock: 155546

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21KHE3_A/I

Parte Stock: 125757

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHE3_A/H

Parte Stock: 196711

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10GHM3_A/I

Parte Stock: 186120

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHM3_A/H

Parte Stock: 139157

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22DHE3_A/I

Parte Stock: 185358

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHE3_A/H

Parte Stock: 310

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-M3/TR

Parte Stock: 195437

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

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