Diodos - Rectificadores - Sinxelos

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Diodos - Rectificadores - Sinxelos

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23M-M3/TR

Parte Stock: 194309

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24DHM3_A/H

Parte Stock: 192644

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21M-M3/TR3

Parte Stock: 125355

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHE3_A/H

Parte Stock: 131683

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10DHE3_A/H

Parte Stock: 113290

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22AHM3_A/I

Parte Stock: 185055

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10Y-M3/TR3

Parte Stock: 180703

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1600V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21K-M3/TR3

Parte Stock: 162491

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24JHE3_A/H

Parte Stock: 132072

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21MHM3_A/H

Parte Stock: 136967

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20J-M3/TR

Parte Stock: 178639

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24D-E3/TR3

Parte Stock: 156019

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHM3_A/I

Parte Stock: 190141

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22BHM3_A/I

Parte Stock: 171388

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22DHM3_A/I

Parte Stock: 102534

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22B-M3/TR3

Parte Stock: 173966

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHM3_A/I

Parte Stock: 115903

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10GHE3_A/I

Parte Stock: 182526

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10GHM3_A/H

Parte Stock: 172130

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24JHM3_A/I

Parte Stock: 108801

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-M3/TR3

Parte Stock: 111269

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

Wishlist.

Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21MHM3_A/I

Parte Stock: 118403

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22A-M3/TR3

Parte Stock: 119326

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-M3/TR

Parte Stock: 190073

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-M3/TR3

Parte Stock: 103238

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10K-E3/TR3

Parte Stock: 180365

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21M-M3/TR

Parte Stock: 170299

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24DHE3_A/H

Parte Stock: 116233

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHM3_A/H

Parte Stock: 112902

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG23MHE3_A/I

Parte Stock: 132466

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24G-M3/TR3

Parte Stock: 181386

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10GHE3_A/H

Parte Stock: 194033

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 4µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24JHE3_A/I

Parte Stock: 123257

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22A-E3/TR3

Parte Stock: 130377

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 25ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24G-E3/TR3

Parte Stock: 175101

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22BHM3_A/H

Parte Stock: 102483

Tipo de diodo: Avalanche, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 25ns,

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