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Transistores - Bipolar (BJT) - Matrices

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2SC4207-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-Y(TE85L,F)

Parte Stock: 152609

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 150mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Wishlist.
2SC4944-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4944-Y(TE85L,F)

Parte Stock: 98

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 150mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Wishlist.
2SA1618-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1618-Y(TE85L,F)

Parte Stock: 124

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 150mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Wishlist.
2SA1873-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1873-Y(TE85L,F)

Parte Stock: 114931

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 150mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Wishlist.
2SA1873-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1873-GR(TE85L,F

Parte Stock: 137653

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 150mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Wishlist.
2SC4207-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-BL(TE85L,F

Parte Stock: 153875

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 150mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Wishlist.
2SC4207-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-GR(TE85L,F

Parte Stock: 9987

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 150mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Wishlist.
2SA1618-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1618-GR(TE85L,F

Parte Stock: 115889

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 150mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Wishlist.
HN1B01FU-Y(L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-Y(L,F,T)

Parte Stock: 4365

Tipo de transistor: NPN, PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 150mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Wishlist.
HN1A01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FE-GR,LF

Parte Stock: 167758

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 150mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Wishlist.
HN1C03FU-A(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C03FU-A(TE85L,F

Parte Stock: 115887

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 300mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 20V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

Wishlist.
HN4A51JTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A51JTE85LF

Parte Stock: 179411

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Wishlist.
HN1A01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01F-GR(TE85L,F

Parte Stock: 4432

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 150mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Wishlist.
ULN2004AFWG,N,E
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2004AFWG,N,E

Parte Stock: 124168

Tipo de transistor: 7 NPN Darlington, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 500mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 50µA, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Wishlist.
HN1A01F-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01F-Y(TE85L,F)

Parte Stock: 104094

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 150mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Wishlist.
HN4B04J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4B04J(TE85L,F)

Parte Stock: 147055

Tipo de transistor: NPN, PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 500mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 30V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100µA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Wishlist.
HN1A01FU-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FU-Y,LF

Parte Stock: 104803

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 150mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Wishlist.
TPCP8901(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8901(TE85L,F,M

Parte Stock: 104

Tipo de transistor: NPN, PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 1A, 800mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 170mV @ 6mA, 300mA / 200mV @ 10mA, 300mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V,

Wishlist.
HN1B04FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-GR,LF

Parte Stock: 184759

Tipo de transistor: NPN, PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 150mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Wishlist.
HN1B01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01F-GR(TE85L,F

Parte Stock: 4437

Tipo de transistor: NPN, PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 150mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Wishlist.
HN4A06J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A06J(TE85L,F)

Parte Stock: 4500

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Wishlist.
HN2C01FE-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FE-GR(T5L,F)

Parte Stock: 4488

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 150mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Wishlist.
HN1C01FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FU-GR,LF

Parte Stock: 184335

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 150mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Wishlist.
HN3A51F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN3A51F(TE85L,F)

Parte Stock: 4476

Tipo de transistor: 2 PNP (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Wishlist.
ULN2003APG,CN
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2003APG,CN

Parte Stock: 4401

Tipo de transistor: 7 NPN Darlington, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 500mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 50µA, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Wishlist.
HN1C01FU-Y(T5L,F,T
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

Parte Stock: 6508

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 150mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Wishlist.
HN1B01FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-GR,LF

Parte Stock: 151500

Tipo de transistor: NPN, PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 150mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Wishlist.
ULN2803AFWG,C,EL
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2803AFWG,C,EL

Parte Stock: 4471

Tipo de transistor: 8 NPN Darlington, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 500mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Wishlist.
HN1C03F-B(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C03F-B(TE85L,F)

Parte Stock: 9945

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 300mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 20V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V,

Wishlist.
HN1C01FYTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FYTE85LF

Parte Stock: 111105

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 150mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Wishlist.
HN1B04F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04F(TE85L,F)

Parte Stock: 4492

Tipo de transistor: NPN, PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 500mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 30V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Wishlist.
ULN2003AFWG,O,N,E
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2003AFWG,O,N,E

Parte Stock: 4430

Tipo de transistor: 7 NPN Darlington, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 500mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 50µA, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Wishlist.
HN4B01JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4B01JE(TE85L,F)

Parte Stock: 76

Tipo de transistor: NPN, PNP (Emitter Coupled), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 150mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 10MA, 100MA,

Wishlist.
ULN2803APG,CN
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2803APG,CN

Parte Stock: 4464

Tipo de transistor: 8 NPN Darlington, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 500mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Wishlist.
HN3C51F-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C51F-BL(TE85L,F

Parte Stock: 4503

Tipo de transistor: 2 NPN (Dual), Actual - Colector (Ic) (Máx.): 100mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 120V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Wishlist.
HN1B04FU-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-Y,LF

Parte Stock: 9904

Tipo de transistor: NPN, PNP, Actual - Colector (Ic) (Máx.): 150mA, Voltaxe: desglose do emisor do colector (máximo): 50V, Saturación Vce (Máx.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA, Actual: límite de coleccionista (máximo): 100nA (ICBO), Ganancia de corrente continua (hFE) (mín.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Wishlist.