Diodos - Rectificadores - Sinxelos | Produtos de semicondutores discretos | 100

HS5B V6G

Parte Stock: 101

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S3B V7G

Parte Stock: 91

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 1.5µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

TSOD1F4HM RVG

Parte Stock: 80

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK33B M4G

Parte Stock: 88

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

HS1F M2G

Parte Stock: 48

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 300V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK12B M4G

Parte Stock: 131

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS210HM4G

Parte Stock: 50

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS2KAHM2G

Parte Stock: 58

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 500ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS1GHR3G

Parte Stock: 53

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S2MHM4G

Parte Stock: 110

Tipo de diodo: Standard, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 1.5µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

MUR140S M4G

Parte Stock: 84

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK39B M4G

Parte Stock: 105

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 90V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS1KHR3G

Parte Stock: 129

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 500ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK32BHR5G

Parte Stock: 132

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK810C V6G

Parte Stock: 96

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 8A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

S10MC V7G

Parte Stock: 112

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 1000V, Actual - Media rectificada (Io): 10A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 10A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

S5M V6G

Parte Stock: 132

Tipo de diodo: Standard, Actual - Media rectificada (Io): 5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 1.5µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK19B M4G

Parte Stock: 61

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 90V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

S3GB M4G

Parte Stock: 82

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 3A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 1.5µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS315 V6G

Parte Stock: 47

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

ESH2C R5G

Parte Stock: 113

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 20ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS1MHM2G

Parte Stock: 59

Tipo de diodo: Standard, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 500ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S2GA M2G

Parte Stock: 102

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 1.5µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK55BHR5G

Parte Stock: 62

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

S1DLSHRQG

Parte Stock: 76

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 1.2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1.2A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS2GA M2G

Parte Stock: 88

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS115HM2G

Parte Stock: 55

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

S2BA M2G

Parte Stock: 102

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 1.5µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS19HR3G

Parte Stock: 61

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 90V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

US1J M2G

Parte Stock: 54

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S3GBHM4G

Parte Stock: 128

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 3A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 1.5µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

HS3B V7G

Parte Stock: 121

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK53BHM4G

Parte Stock: 56

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS3K V6G

Parte Stock: 123

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 500ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S2AHR5G

Parte Stock: 143

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 1.5µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK22AHM2G

Parte Stock: 103

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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