Diodos - Rectificadores - Sinxelos

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Diodos - Rectificadores - Sinxelos

Taiwan Semiconductor Corporation

S3ABHM4G

Parte Stock: 111

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 3A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 1.5µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S4D V6G

Parte Stock: 142

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 4A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 1.5µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK29AHM2G

Parte Stock: 59

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 90V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

S12GC V7G

Parte Stock: 58

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 12A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS1B M2G

Parte Stock: 48

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1008GHC0G

Parte Stock: 61

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 10A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

MUR305S V6G

Parte Stock: 100

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 25ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

ESH3B V7G

Parte Stock: 74

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 20ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SSL13HM2G

Parte Stock: 134

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 390mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES3F V6G

Parte Stock: 116

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 300V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES2DHM4G

Parte Stock: 119

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK39A M2G

Parte Stock: 110

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 90V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

HS3J V6G

Parte Stock: 53

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS110HR3G

Parte Stock: 99

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS1K M2G

Parte Stock: 111

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 500ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK515C V6G

Parte Stock: 140

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io): 5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

US1AHR3G

Parte Stock: 67

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SSL24 M4G

Parte Stock: 109

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 40V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 410mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES1AHM2G

Parte Stock: 50

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

ESH1B M2G

Parte Stock: 103

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 15ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

US1K M2G

Parte Stock: 113

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK13B R5G

Parte Stock: 79

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SFF1602GHC0G

Parte Stock: 107

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 16A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES2CAHR3G

Parte Stock: 121

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

Wishlist.

Taiwan Semiconductor Corporation

HS2K M4G

Parte Stock: 107

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S2JA M2G

Parte Stock: 54

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 1.5µs,

Wishlist.

Taiwan Semiconductor Corporation

S1D M2G

Parte Stock: 142

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 1.5µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK215AHM2G

Parte Stock: 62

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.

Taiwan Semiconductor Corporation

SK115BHM4G

Parte Stock: 97

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 150V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.

Taiwan Semiconductor Corporation

SK26AHM2G

Parte Stock: 100

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.

Taiwan Semiconductor Corporation

S2B M4G

Parte Stock: 119

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 1.5µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

MUR440S V6G

Parte Stock: 84

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 4A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

HS2KA M2G

Parte Stock: 102

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SSL12HM2G

Parte Stock: 138

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 390mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK52C V7G

Parte Stock: 75

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io): 5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wishlist.

Taiwan Semiconductor Corporation

SK32AHM2G

Parte Stock: 62

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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