Diodos - Rectificadores - Sinxelos | Produtos de semicondutores discretos | 100

SK39B R5G

Parte Stock: 85

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 90V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS3D V7G

Parte Stock: 103

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

US1BHR3G

Parte Stock: 91

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK39AHM2G

Parte Stock: 95

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 90V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS25HM4G

Parte Stock: 113

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

US1BHM2G

Parte Stock: 101

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK36B M4G

Parte Stock: 98

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 60V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES3DV V7G

Parte Stock: 68

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 20ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK25A R3G

Parte Stock: 95

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS2BAHM2G

Parte Stock: 108

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S12KC V7G

Parte Stock: 102

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 12A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

S2JHM4G

Parte Stock: 46

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 1.5µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S3A V7G

Parte Stock: 120

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 1.5µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S3JB M4G

Parte Stock: 88

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 3A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 1.5µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK55B M4G

Parte Stock: 129

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

HS3G V6G

Parte Stock: 79

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S2D M4G

Parte Stock: 137

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 1.5µs,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS110 M2G

Parte Stock: 102

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

MUR340S V6G

Parte Stock: 46

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

ES2GHM4G

Parte Stock: 78

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

HS5K V6G

Parte Stock: 53

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS29HM4G

Parte Stock: 129

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 90V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

HS1K M2G

Parte Stock: 114

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 800V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 75ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SSL23HM4G

Parte Stock: 94

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 30V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 410mV @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

US1D M2G

Parte Stock: 74

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

HS1A R3G

Parte Stock: 61

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SK82C V6G

Parte Stock: 102

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io): 8A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

HS5G V6G

Parte Stock: 64

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS2AAHM2G

Parte Stock: 87

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 50V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 150ns,

Wishlist.

Taiwan Semiconductor Corporation

ES2J M4G

Parte Stock: 65

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 2A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 2A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 35ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

RS2GAHM2G

Parte Stock: 95

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 150ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

S1JBHM4G

Parte Stock: 85

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 600V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Velocidade: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

HS2GA M2G

Parte Stock: 82

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 400V, Actual - Media rectificada (Io): 1.5A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1.5A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

SS32 V7G

Parte Stock: 88

Tipo de diodo: Schottky, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 20V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Taiwan Semiconductor Corporation

US1DHM2G

Parte Stock: 80

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 200V, Actual - Media rectificada (Io): 1A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 50ns,

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Taiwan Semiconductor Corporation

ESH3B V6G

Parte Stock: 125

Tipo de diodo: Standard, Tensión - DC inverso (Vr) (máx.): 100V, Actual - Media rectificada (Io): 3A, Velocidade: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Tempo de recuperación inversa (TRR): 20ns,

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